ЕДВА ЗАМЕТНОЕ УВЕЛИЧЕНИЕ СИЛЫ ТЯЖЕСТИВо время землетрясений происходит сжатие земной коры и локальное изменение силы тяжести. Однако из-за отсутствия точных приборов ученым удавалось обнаруживать эти колебания только в результате длительных наблюдений до и после землетрясений. Далее...  | 
					
  | 
	
				
акцепторная примесь
 АКЦЕПТОРНАЯ ПРИМЕСЬ (от лат. acceptor 
  - принимающий) - примесь в полупроводнике, ионизация к-рой сопровождается 
  захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный 
  пример А. п.- атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках 
  IV группы - Ge и Si. В сложных полупроводниках А. п. могут быть атомы электроотрицат. 
  элементов (О, S, Se, Те, С1 и др.), избыточные по отношению к составу, отвечающему 
  стехиометрич. ф-ле. Введение А. п. сообщает данному полупроводнику дырочную 
  проводимость, т. е. ионизация А. п. приводит к появлению дырок в валентной зоне, 
  что описывается как переход электрона из валентной зоны на уровень А. п., расположенный 
  в запрещённой зоне.
А. п. характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией ионизации А. п. 
). А. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие А. п.) описываются водородоподобной моделью. Энергия ионизации такой А. п. в 
 раз меньше энергии ионизации атома водорода ~10 эВ (
 - диэлектрическая проницаемость полупроводника, 
 - масса свободного электрона, 
 - эффективная масса дырок) порядка 10-100 мэВ.
Лит.: Бонч-БруевичВ. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977. Э. М. Эпштейн.




				
 webmaster@femto.com.ua