Знамениті фізики УкраїниФізика - одна з найбільш важливих наук. В її області працює багато вчених з усього світу. Є серед них і геніальні фізики України. Сьогодні в Україні є багато талановитих вчених. Не бракувало їх і поколіннями раніше. Всі вони починали свою роботу з підготовки, тобто отримання якісної освіти. Вже пару століть в нашій країні існує багато спеціалізованих державних і приватних закладів. При необхідності сьогодні можна отримувати додаткові уроки індивідуально і віддалено. Далее... |
брэгговское отражение
БРЭГГОВСКОЕ ОТРАЖЕНИЕ
- схемы дифракции рентгеновских лучей, при к-рой падающий и дифракционный
лучи лежат по одну сторону от поверхности кристалла (рис., а). В том
случае, когда падающий и дифракционный лучи находятся по разные стороны кристаллич.
пластины (рис., б), имеет место лауэвское прохождение (Л. п.). Если угол
j между системой атомных плоскостей, находящихся в отражающем положении, и входной
поверхностью кристалла равен нулю, то Б. о. наз. симметричным, в остальных случаях
- асимметричным. При
имеет место симметричное Л. п.
Б. о. и Л. п. являются
простейшими фундам. задачами динамич. дифракции рентг. лучей, полностью выявляющими
её осн. особенности. Введение в рассмотрение схем Б. о. и Л. п. имеет смысл
только для двухлучевой динамич. дифракции. При многолучевой дифракции одновременно
имеются и отражённые и прошедшие дифракц. лучи, к-рые могут взаимодействовать,
что не позволяет выделять к--л. простейшие схемы. При кинематич. дифракции,
когда обратным влиянием дифракц.
луча на проходящий можно пренебречь, различие между Б. о. и Л. п. исчезает.
Для Б. о. и Л. п. резко
отличаются структура волнового поля внутри кристалла и коэффициенты отражения.
Каждой из этих схем присущи свои специфич. эффекты, связанные с разл. характером
обратной связи между дифракционной и проходящей волнами.
Схемы взаимного расположения
входной поверхности 1 кристаллической пластинки, системы атомных плоскостей
2, находящейся в отражающем положении, прошедшего 3, падающего
4 и дифракционного 5 лучей: а - для асимметричного брэгговского
отражения; б - для асимметричного лауэвского прохождения;
- угол Брэгга.
При Б. о. дифракционная
и проходящая волны имеют противоположно направленные относительно оси z проекции
векторов потоков энергии (активная связь). В случае Л. п. эти связанные волны
имеют одинаково направленные вдоль оси z проекции потока энергии (пассивная
связь).
Непосредств. перехода Б.
о. в Л. п. и обратно, напр. за счёт изменения длины волны излучения, нет. Это
связано с тем, что при углах
(рис., а, б), попадающих в интервал
, где - критич.
угол полного внеш. отражения (см. Поляризуемость рентгеновская ),часть
интенсивности дифракц. луча испытывает полное внеш. отражение. При этом поле
в кристалле меняет свою структуру и исходная двухлучевая конфигурация превращается
в трёхлучевую (т. н. резко асимметричная дифракция). Аналогичная ситуация возникает
также при малых углах скольжения
падающего на кристалл луча.
Для электронов возможность
реализации условий Л. п. и Б. о. зависит от энергии частиц. В электронной
микроскопии при ускоряющих напряжениях ~105 В из-за малой величины
угла Брэгга обычно
имеют место Л. п. Наблюдение Б. о. возможно при анализе поверхностей твёрдых
тел методом дифракции медленных электронов с энергиями ~10-100 эВ.
Лит. CM. при ст.
Дифракция рентгеновских лучей.
А. В. Колпаков.