Бозон Хиггса – найден ли?Ученый мир обсуждает неофициальное сообщение о возможном открытии бозона Хиггса. Предполагалось, что о его существовании можно будет говорить после нескольких лет исследований на Большом адронном коллайдере. Но 8 июля Томмазо Дориго итальянский физик-ядерщик всколыхнул научную общественность. Далее... |
|
вакансия
ВАКАНСИЯ (от лат.
vacans - пустующий, свободный)-дефект кристалла, соответствующий не занятому
частицей узлу кристаллич. решётки. В., как и др. точечные дефекты, являются
центрами деформации (дилатации): частицы, окружающие вакантный узел, смещаются
относительно положений равновесия (в узлах кристаллич. решётки), что приводит
к появлению внутр. поля напряжений вокруг В. На больших расстояниях r
от В. поле напряжений убывает как 1/r3. В объёме совершенного
кристалла одиночные В. появляться и исчезать не могут; источниками (и стоками)
В. служат поверхность кристалла, границы зёрен в поликристалле, дислокации.
Возможны также процессы образования и уничтожения В. в паре с межузельным
атомом (пары Френкеля). Энергия В. зависит от напряжений в кристалле.
В. могут быть как изолированными,
так и входить в состав более сложных образований - связанных состояний неск.
В. (дивакансии, тривакансии и др.), больших вакансионных кластеров и В., связанных
с др. дефектами решётки. В. могут обладать зарядом (напр., В., захватившие электрон,
центры окраски ).В ионных кристаллах относит. концентрации разл. типов
В. определяются требованием электронейтральности кристалла. При равных концентрациях
В. положительных п отрицательных ионов В. наз. Шотки дефектами, а при равных
концентрациях межузельных ионов В. говорят о Френкеля дефектах.
В термодинамич. равновесии
равновесная концентрация В. экспоненциально убывает с понижением темп-ры T. Однако возможны состояния кристалла с "замороженными" В. Вблизи
кривой плавления равновесная концентрация В. обычно достигает 1-2% от числа
атомов. Частицы кристалла, соседние с В., могут совершать термоактивир. скачки
на вакантный узел, что приводит к диффузии В. и является одним из механизмов
самодиффузии частиц в кристаллах. Коэф. диффузии В., как правило, намного больше,
чем у других точечных дефектов, и экспоненциально возрастает с повышением T. Со сравнительно быстрым движением В. в кристалле связаны специфич. вакансионные
механизмы переноса (диффузии) др. дефектов, напр. дислокаций (в направлении,
перпендикулярном плоскости скольжения) и примесей замещения. Наличие В. существенно
влияет на свойства кристалла и физ. процессы (плотность, ионную проводимость,
внутреннее трение ,очистку и отжиг кристалла, рекристаллизацию и
т. д.). В квантовых кристаллах В. представляют собой квазичастицы - вакансионы.
Лит. см. при ст. Дефекты. А. Э. Мейерович.
webmaster@femto.com.ua