Самовосстанавливающийся чипУченые не сидят, сложа руки и предвидя момент, когда размеры транзисторов и чипов станут настолько малы, что не смогут сохранять текущий уровень устойчивости к внешним воздействиям, придумали, как решить проблему. Далее... |
ванфлековский парамагнетизм
ВАНФЛЕКОВСКИЙ
ПАРАМАГНЕТИЗМ - парамагнетизм ,обусловленный деформацией электронной
оболочки атома (или иона) приложенным магн. полем H; деформация приводит
к индуцированию магн. момента у атома (иона), если его электронная оболочка
не обладает сферич. симметрией или осевой симметрией относительно H. T.
о., В. п. является поляризационным, в отличие от ориентац. парамагнетизма, при
к-ром магн. поле только выстраивает уже имеющиеся у атомов магн. моменты. Теорию
поляризационного парамагнетизма разработал Дж. Ван Флек (J. Van Vleck, 1927).
Кван-товомеханич. ф-ла магн. восприимчивости
системы слабовзаимодействующих частиц (атомов, молекул), у к-рых электронные
оболочки не обладают сферич. симметрией, включает член (см. Диамагнетизм), учитывающий вклад в
возможных (виртуальных) квантовых
переходов между энергетически наинизшим состоянием системы
и её возбуждёнными состояниями
Здесь -
парамагн. восприимчивость 1 моля, -
оператор z-составляющей суммарного орбитального и спинового моментов всех электронов
системы. Квадрат модуля
недиагональных матричных элементов оператора
определяет вероятность квантовых переходов в системе, описываемых оператором
(внеш. поле H направлено по оси z). Сумма (1) при
положительна и определяет поляризационный парамагнетизм; он тем больше, чем
меньше разность
Пока не происходит теплового
возбуждения более высоких уровней энергии, поляризац. парамагн. восприимчивость
не зависит от темп-ры, что отличает её от ориентац. парамагн. восприимчивости,
уменьшающейся с ростом темп-ры. Наиб. ярко В. п. выявляется в соединениях ионов
Eu3+ и Sm3+ . Соединения Eu3+ не обладают при
низких темп-pax ориентац. парамагнетизмом, т. к. осн. состояние этого иона является
синглетным, т.е. полный момент атома в этом состоянии J=O. В. п. в соединениях,
содержащих Eu3+, особенно велик, т.к. расстояние между нижними уровнями
мультиплета мало (
300 см-1). Благодаря этому при низких темп-pax (ниже 100 К) магн.
восприимчивость соединений Eu3+ не зависит от темп-ры и составляет
заметную величину (10
-2).
Вещества, содержащие парамагн.
ионы с синглетным осн. состоянием, наз. поляризационными или ванфлековскими
парамагнетиками. Ванфлековскими парамагнетиками, кроме соединений Eu3+
, могут быть и соединения др. редкоземельных ионов с чётным числом электронов
в незаполненной оболочке, осн. уровень к-рых расщепляется кристаллич. полем
так, что нижний уровень является синглетным, а расстояние до ближайшего уровня
невелико и составляет десятки см-1. К таким ионам с сильным В. п.
в первую очередь относятся Pr3+, Tm3 + , Tb3+
и Ho3+.
Ванфлековские парамагнетики
могут быть использованы для получения сверхнизких темп-р методом ади-абатич.
размагничивания ядерной спиновой системы (С. А. Альтшулер, 1966). Индуцированный
магн. полем электронный магн. момент создаёт благодаря сверхтонкому взаимодействию эффективное ноле на ядре, к-рое в 10-100 раз больше приложенного магн. поля.
Благодаря этому существенно улучшаются эксперим. возможности (стартовые темп-pa
и магн. поле, холодопроизводительность) метода. Так, с помощью интерметаллич.
соединений типа PrNi5 удаётся получать темп-ру 1-3 мК, размагничивая
их от нач. темп-ры 50 мК и нач. поля 2 Тл.
Лит.: Van Vleck J. H., The theory of electric and magnetic susceptibilities, Oxf., 1932; Вонсовский С. В., Магнетизм, M., 1971. А. С. Боровик-Романов.