Современные лазерные телевизорыНе успел рядовой потребитель толком порадоваться современным плазменным или жидкокристаллическим телевизорам, как на смену пришли новейшие лазерные телевизоры. Придется ли в ближайшем будущем отказываться от так понравившейся Плазмы? Далее... |
ван хова особенности
ВАН ХОВА ОСОБЕННОСТИ (Ван Хова сингулярности) - особенности плотности
состояний квазичастиц v(e)в кристаллах как ф-ции энергии квазичастиц
e. Плотность состояний v связана со скоростью квазичастицы
( - импульс
квазичастицы) соотношением
где интегрирование идёт
по изоэнергетич. поверхности в импульсном пространстве. В. X. о. связаны
с обращением в нуль v в седловых и экстремальных точках в р-пространстве.
Рис. 1. Изменение топологии
изоэнергетических
поверхностей вблизи конической точки.
Рис. 2. Зависимость плотности состояний от энергии квазичастицы.
С ростом энергии квазичастицы
от минимальной ("дно"
энергетич. зоны) до максимальной
("потолок") форма энергетич. поверхностей в р-пространстве
меняется, причём внутри каждой энергетич. зоны есть слой открытых изоэнергетич.
поверхностей, в то время как
вблизи изоэнергетич.
поверхности замкнуты (см. Зонная теория ).Переход от замкнутых к открытым
поверхностям происходит "через" поверхность ,
содержащую т. н. конич. точку ,
в к-рой v= 0 (рис. 1). Вблизи
ф-ции можно придать
вид:
причём эффективные массы, m1, m2, m3 одного знака.
Энергии наз. особыми
точками S-типа (если m1,m2, m3>0,
то S1-типа; если ml, т2, т3 < 0, то S2-типа). Это седловые точки ф-ции
Л. Ван Хов (L. Van
Hove) в 1953 сформулировал и доказал теорему, согласно к-рой в каждой энергетич.
зоне имеется по меньшей мере две точки S-типа (одна
S1-типа,
другая S2-типа). Схематич. зависимосnm плотности состояний
в энергетич. зоне изображена на рис. 2. Аномальная часть ,
содержащая В. X. о.,
равна
, где и
отлично от нуля для особенности S1-типа при
, а для особенности S2-типа при
В. X. о. могут наблюдаться
не только при переходе от замкнутых изоэнергетич. поверхностей к открытым, но
и при любом изменении связности изоэнергетич. поверхностей, в частности при
возникновении у изоэнергетич. поверхности новой полости. Новая полость зарождается
в точке с , благодаря
чему и в этом случае
и отлична от 0 при тех значениях энергии, при к-рых полость есть. В этом смысле
особенности при
и можно трактовать
как В. X. о.
Знание В. X. о. существенно
для понимания энергетич. зонной структуры кристаллов. Если к--л. причина выделяет
определ. изоэнергетич. поверхность (как, напр., выделена ферми-поверхностъ в металлах), то изменение её связности приводит к проявлению В. X. о. в
макроскопич. свойствах. Так, изменение путём внеш. воздействия связности ферми-поверхности
- причина предсказанного (И. M. Лифшиц) и обнаруженного экспериментально (H.
Б. Брандт и др.) электронно-топологич. фазового перехода металлов при упругих
деформациях.
Лит.: Van Hove L.,
The occurence of singularities in the elastic frequency distribution of a crystal,
"Phys. Rev.", 1953, v. 89, p. 1189; 3айман Д ж.. Принципы теории
твердого тела, пер. с англ., M., 1974, гл. 2, p 5; Косевич A. M., Физическая
механика реальных кристаллов, К., 1981, гл. 1, 8 2; Анималу А., Квантовая теория
кристаллических твердых тел, пер. с англ., M., 1981, гл. 4, p 8. M. И.
Каганов.