Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
POTENTIAL DIFFERENCE: зарядка мобильного за 16 минут
Технология зарядки литий-ионных аккумуляторов (запатентованная еще в 2001 году) позволяет полностью зарядить мобильный девайс в среднем за 16 минут. Производство зарядных устройств нового типа начнется после того, как разработчики проверят, живучесть батарей, заряжаемых быстрым способом Далее...

быстрая зарядка мобильного

высокочастотная проводимость

ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -характеристика 1119919-318.jpg проводников (металлов, полупроводников и др.), посредством к-рой задается линейная связь между плотностью тока j и напряженностью приложенного перем. электрич. поля частоты 1119919-319.jpg

1119919-320.jpg

Выражение (1) естеств. образом обобщает Ома закон .Оно справедливо в локальном пределе, когда т. н. эффективная длина iэф свободного пробега носителей заряда (для определенности электронов) ограничена:

1119919-321.jpg

Здесь 1119919-322.jpg- характерный размер, на к-ром изменяется поле 1119919-323.jpg, 1119919-324.jpg - длина свободного пробега электрона, 1119919-325.jpg - ср. скорость электронов (в металлах и вырожденных полупроводниках 1119919-326.jpg107-108 см/с, в обычных полупроводниках 1119919-327.jpg скорость теплового движения), 1119919-328.jpg- время между столкновениями (время релаксации) электронов. Обычно 1119919-329.jpgлежит в пределах 10-9- 10-13 с и зависит от темп-ры и чистоты проводника и, кроме того, может изменяться с частотой.

В изотропных средах В. п. определяется (по порядку величины) соотношением:

1119919-330.jpg

Здесь 1119919-331.jpg - плазменная частота электронов, п - их концентрация, m*- эффективная масса электрона, е - его заряд. В анизотропных средах 1119919-332.jpg - тензор. При выполнении условия (2) описание В. п. возможно путём введения т. н. эффективной диэлектрич. проницаемости, учитывающей вклад электронов:

1119919-333.jpg

где 1119919-334.jpg - диэлектрич. проницаемость ионной решётки. Зависимость 1119919-335.jpg от частоты (временная дисперсия 1119919-336.jpg) в электронных проводниках, в отличие от диэлектриков, проявляется, начиная с низких частот. Это - следствие наличия свободных носителей заряда, способных изменять свою энергию на сколь угодно малую величину. Роль характерной частоты, определяющей временную дисперсию, при низких частотах играет частота столкновений электронов 1119919-337.jpg , при высоких - плазменная частота. При 1119919-338.jpg вклад электронов проводимости в 1119919-339.jpg мал и различие между проводником и диэлектриком исчезает.

При 1119919-340.jpg ток проводимости обусловливает быстрое затухание эл.- магн. волны в тонком слое толщиной 1119919-341.jpg вблизи поверхности проводника (см. Скин-эффект ).Если при этом оказывается, что 1119919-342.jpg, то проводимость становится нелокальной: ток определяется значениями поля в области с размерами порядка 1119919-343.jpg. В этом случае необходим учет дисперсии пространственной, вследствие к-рой В. п. зависит от квазиимпульса, определяя связь между пространств. Фурье-компонентами плотности тока j и электрич. поля E. Учёт пространств. дисперсии необходим при низких темп-pax, когда длина свободного пробега становится достаточно большой.

При наложении пост. магн. поля H В. п. претерпевает существенные изменения: в 1119919-344.jpgдаже в случае изотропного проводника появляются недиагональные холловские компоненты (см. Холла эффект; )кроме того, временная дисперсия определяется также и значением циклотронной частоты 1119919-345.jpg . Последнее играет особенно важную роль при 1119919-346.jpg, приводя к появлению циклотронного резонанса слабозатухающих волн - геликонов, магнитоплазменных (магнитогидродинамических), циклотронных и доплеронов, а также размерных эффектов в магн. поле.

T. к. поле и ток в проводниках сосредоточены вблизи поверхности, то существующие в магн. поле магнитные поверхностные уровни приводят к резонансным особенностям в относительно слабых полях, когда 1119919-347.jpg . В сильных магн. полях, удовлетворяющих условию 1119919-348.jpg , в В. п. металлов и вырожденных полупроводниках проявляются квантовые осцилляции. Наличие у проводника магн. свойств (парамагнетизма, ферромагнетизма, антиферромагнетизма) отражается на В. п. благодаря зависимости его магн. восприимчивости от 1119919-349.jpg.

Знание В. п. позволяет вычислить распределение электрич. поля в проводнике, поверхностный импеданс, характеризующий амплитуду и фазу отражаемой проводником волны, и коэф. прохождения волны через образцы ограниченных размеров (см. Импеданс).

Лит.: Ландау Л. Д., Лифшиц E. M., Электродинамика сплошных сред, 2 изд., M., 1982; Абрикосов А. А., Введение в теорию нормальных металлов, M., 1972; Ашкрофт H., Мермин Н., Физика твердого тела, пер. с англ., M., 1979; Walsh W. M., Resonances hoth temporal and spatial, в кн. Solid state physics. The Simon Fraser university lectures, v. 1, N.Y., 1968, p. 127. В. С. Эдельман.

  Предметный указатель