генерационно-рекомбинационный шум

ГЕНЕРАЦИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННЫЙ ШУМ - электрич. шум, вызванный случайными флуктуациями концентрации носителей заряда (электронов проводимости и дырок) в полупроводнике (см. Флуктуации электрические ).Флуктуации возникают из-за случайного характера генерации носителей и их рекомбинации (или захвата на примесные центры). Флуктуации числа носителей в образце вызывают флуктуации его сопротивления, к-рые проявляются в виде флуктуации напряжения или тока при протекании нек-рого ср. тока I по образцу под действием приложенного к нему напряжения V. В том случае, когда кинетика рекомбинац. процессов в полупроводнике характеризуется одним временем жизни носителей , спектральная плотность N Г. ш. падает с ростом частоты f пропорц. лоренцевской ф-ции (рис.). В общем случае спектральная плотность Г. ш.- сумма лоренцевских ф-ций, отвечающих разным временам жизни. В однородных омических полупроводниках спектральная плотность Г. ш. пропорц. I² или V². В полупроводниковых фотоэлектрич. приёмниках излучения (фотосопротивлениях) Г. ш.- осн. помеха, ограничивающая мин. детектир. мощность излучения. Измерение спектра Г. ш.- либо высоты НЧ плато спектральной плотности, либо частоты, при к-рой спектральная плотность падает вдвое по сравнению с НЧ значением,- позволяет определить время жизни носителей в полупроводнике.

Лит.: Ван-дер-Зил А., Флуктуационные явления в полупроводниках, пер. с англ., M., 1961. Ш. M. Коган.

   <<      Предметный указатель      >>