Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
Технология производства экранов AMOLED
Развитие новой концептуальной технологии в производстве устройств отображения графической информации
Технология производства устройств отображения на жидких кристаллах или TFT уже очень долго и успешно применяется и находится на пике своей популярности. Но уже сейчас появилась, успешно разрабатывается и даже применяется AMOLED технология производства устройств отображения информации. И, возможно, что уже в самом скором будущем она вытеснит все свои жидкокристаллические аналоги. Далее...

AMOLED экран

дембера эффект

ДЕМБЕРА ЭФФЕКТ - возникновение электрич. поля в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении. Установил X. Дембер (H. Dember) в 1931, теория дана Я. И. Френкелем в 1933. Относится к числу фотогальванических эффектов. Напр., поле Дембера ED возникает при освещении образца, сильно поглощающего свет, через полупрозрачный электрод А (рис.). Избыточные электроны и дырки, создаваемые светом у освещаемой поверхности, диффундируют в глубь образца в направлении Oy (см. Диффузия носителей заряда в полупроводниках). T. к. коэф. диффузии у электронов DЭ и дырок DД различен, то в полупроводнике возникает электрич. поле, к-рое (при малой концентрации избыточных носителей) связано с градиентом концентрации фотоносителей:

1119930-50.jpg

Здесь п0 и р0 - темповые концентрации электронов и дырок [1, 3]. ЕД замедляет более подвижные и ускоряет менее подвижные носители.

1119930-49.jpg

Эдс Дембера практически не может быть измерена, т. к. в фотоэдс между электродами A u B доминирующий вклад вносит вентильная эдс на электроде А. Исключением является поперечная эдс Дембера в анизотропных кристаллах, к-рая создаётся электрич. полем 1119930-51.jpg , перпендикулярным градиенту концентрации. Она возникает, если образец вырезан под углом к кристаллографич. осям, и измеряется между электродами С и D. Величина эдс равна 1119930-52.jpg, где l - длина освещённого участка, а поле 1119930-53.jpg пропорционально т. н. коэф. анизотропии 1119930-54.jpg, индексы 1 и 2 указывают компоненты тензоров коэф. диффузии по гл. кристаллографич. осям [4, 5].

Лит.: 1) Рывкин С.M., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, M., 1963; 2) Tауц Я., Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках, пер. с чеш., M., 1962; 3) Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, M., 1977; 4) Кикоин И. К., Лазарев С. Д., Новый фотопьезоэлектрический эффект в полупроводниках, "ЖЭТФ", 1965, т. 47, с. 780; 5) Жадько И. П. и др., Анизотропия электрических и фотоэлектрических свойств In2Se, "ФТТ", 1965, т. 7, с. 1777. Г. E. Пикус.

  Предметный указатель