дембера эффект

ДЕМБЕРА ЭФФЕКТ - возникновение электрич. поля в однородном полупроводнике при его неравномерном освещении. Установил X. Дембер (H. Dember) в 1931, теория дана Я. И. Френкелем в 1933. Относится к числу фотогальванических эффектов. Напр., поле Дембера E_D возникает при освещении образца, сильно поглощающего свет, через полупрозрачный электрод А (рис.). Избыточные электроны и дырки, создаваемые светом у освещаемой поверхности, диффундируют в глубь образца в направлении O_y (см. Диффузия носителей заряда в полупроводниках). T. к. коэф. диффузии у электронов D_Э и дырок D_Д различен, то в полупроводнике возникает электрич. поле, к-рое (при малой концентрации избыточных носителей) связано с градиентом концентрации фотоносителей:

Здесь п₀ и р₀ - темповые концентрации электронов и дырок [1, 3]. Е_Д замедляет более подвижные и ускоряет менее подвижные носители.

Эдс Дембера практически не может быть измерена, т. к. в фотоэдс между электродами A u B доминирующий вклад вносит вентильная эдс на электроде А. Исключением является поперечная эдс Дембера в анизотропных кристаллах, к-рая создаётся электрич. полем , перпендикулярным градиенту концентрации. Она возникает, если образец вырезан под углом к кристаллографич. осям, и измеряется между электродами С и D. Величина эдс равна , где l - длина освещённого участка, а поле пропорционально т. н. коэф. анизотропии , индексы 1 и 2 указывают компоненты тензоров коэф. диффузии по гл. кристаллографич. осям [4, 5].

Лит.: 1) Рывкин С.M., Фотоэлектрические явления в полупроводниках, M., 1963; 2) Tауц Я., Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках, пер. с чеш., M., 1962; 3) Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, M., 1977; 4) Кикоин И. К., Лазарев С. Д., Новый фотопьезоэлектрический эффект в полупроводниках, "ЖЭТФ", 1965, т. 47, с. 780; 5) Жадько И. П. и др., Анизотропия электрических и фотоэлектрических свойств In₂Se, "ФТТ", 1965, т. 7, с. 1777. Г. E. Пикус.

   <<      Предметный указатель      >>