Современные лазерные телевизорыНе успел рядовой потребитель толком порадоваться современным плазменным или жидкокристаллическим телевизорам, как на смену пришли новейшие лазерные телевизоры. Придется ли в ближайшем будущем отказываться от так понравившейся Плазмы? Далее... |
дифракция медленных электронов
ДИФРАКЦИЯ
МЕДЛЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ - дифракция электронов с энергиями от десятков
до сотен эВ; один из осн. методов изучения структуры приповерхностных слоев
монокристаллов толщиной ~1 нм. Толщина исследуемого слоя определяется глубиной
проникновения электрона в кристалл без потери энергии. Электроны, используемые
в методе Д. м. э., теряют энергию в осн. на образование плазмонов (ср.
путь, проходимый медленным электроном между последоват. актами возбуждения плазмонов,
составляет 1 нм; с ростом энергии электронов эта длина быстро увеличивается).
Пучок электронов падает
под заданным углом к поверхности исследуемого кристалла. В результате дифракции
в приповерхностных слоях часть электронов вылетает из кристалла назад через
эту же поверхность. Электрически заряженная задерживающая сетка пропускает лишь
те электроны, к-рые не потеряли энергию на образование плазмонов, т. е. электроны,
углубившиеся в кристалл не более чем на половину длины образования плазмона
(что соответствует неск. атомным слоям). Дифракц. картина регистрируется на
люминесцентном экране. Она характеризуется большим числом максимумов, положение
к-рых определяется условиями рассеяния на двумерных периодич. структурах. При
этом симметрия картины отражает симметрию расположения атомов в поверхностном
слое, а интенсивности максимумов содержат информацию о межатомном взаимодействии.
В методе Д. м. э. измеряют
угл. распределение максимумов, зависимость распределения от нач. энергии электрона,
изменение интенсивности максимумов в зависимости от темп-ры или наличия на поверхности
адсорбиров. атомов. Измеряют также поляризацию спина дифрагиров. электронов.
Сравнение эксперим. данных с теоретич. расчётами разл. вариантов структуры позволяет
установить истинную структуру приповерхностного слоя.
С помощью метода Д. м.
э. обнаружено явление реконструкции поверхностей полупроводников и металлов,
состоящее в различии структуры параллельных внутриобъёмных и поверхностных кристаллографич.
плоскостей. Так, внутри объёма кристаллич. золота плоскость (100) имеет квадратичную
структуру, а поверхностная грань (100) - гексагональную. Реконструкция поверхности
имеет место для всех граней кремния, причём поверхностная структура при разл.
темп-pax различна.
Использование Д. м. э.
для анализа плёнок на поверхностях кристаллов позволило непосредственно количественно
изучать межатомные взаимодействия в адсорбц. монослоях, что привело к появлению
нового направления - физики двумерных поверхностных структур. Изучение двумерных
фазовых переходов газ - жидкость - кристалл даёт ценную информацию о свойствах
адсорбиров. атомов, измерение поляризации спина при Д. м. э.- возможность изучения
магн. свойств поверхности.
Лит.: Мозольков A. E.,
Федянин В. К., Дифракция медленных электронов поверхностью, M., 1982; Рязанов
M. И., Тилинин И. С., Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц,
M., 1985; Hаумовец А. Г., Дифракция медленных электронов, в кн.: Спектроскопия
и дифракция электронов при исследовании поверхности твёрдых тел,
M., 1985; Van Hove M. A.,
Tong S. Y., Surface crystallogrарhy by LEED, B., 1979. M. И. Рязанов.