Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
АТТОСЕКУНДНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ ИМПУЛЬСЫ
В атоме водорода электрон делает один виток по орбите всего за 150 аттосекунд (150 .10–18 с) – это время относится к секунде так же, как секунда к 200 млн. лет. Стремясь к изучению столь кратковременных явлений, физики научились получать лазерные импульсы длительностью в несколько сотен аттосекунд. Далее...

диффузионная длина

ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в полупроводнике - расстояние, на к-ром плоский диффузионный поток неравновесных носителей заряда (в отсутствие электрич. поля) уменьшается в е раз. Д. д. L имеет смысл ср. расстояния, на к-рое смещаются носители заряда в полупроводнике вследствие диффузии за время 1119935-165.jpg их жизни: 1119935-166.jpg , где D - коэф. диффузии носителей заряда в полупроводниках.

Метод измерения Д. д. состоит в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко освещённой щели на поверхность образца) и их регистрации на нек-ром расстоянии r от места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя r (расстояние между световой щелью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей. Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L.

В нек-рых чистых полупроводниках, напр. в Ge, Д. д. может достигать неск. мм.

Лит. см. при ст. Диффузия носителей заряда в полупроводниках. Э. M. Эпштейн.

  Предметный указатель