Знамениті фізики УкраїниФізика - одна з найбільш важливих наук. В її області працює багато вчених з усього світу. Є серед них і геніальні фізики України. Сьогодні в Україні є багато талановитих вчених. Не бракувало їх і поколіннями раніше. Всі вони починали свою роботу з підготовки, тобто отримання якісної освіти. Вже пару століть в нашій країні існує багато спеціалізованих державних і приватних закладів. При необхідності сьогодні можна отримувати додаткові уроки індивідуально і віддалено. Далее... |
диффузионная длина
ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в
полупроводнике - расстояние, на к-ром плоский диффузионный поток неравновесных
носителей заряда (в отсутствие электрич. поля) уменьшается в е раз. Д.
д. L имеет смысл ср. расстояния, на к-рое смещаются носители заряда в
полупроводнике вследствие диффузии за время
их жизни: , где
D - коэф. диффузии носителей заряда в полупроводниках.
Метод измерения Д. д. состоит
в генерации неравновесных носителей (обычно светом, путём проектирования ярко
освещённой щели на поверхность образца) и их регистрации на нек-ром расстоянии
r от места генерации. Коллектором неравновесных частиц может служить
электронно-дырочный переход или контакт металл-полупроводник. Изменяя r (расстояние
между световой щелью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно
определить стационарное распределение концентраций неравновесных носителей.
Зная зависимость концентрации от отношения r/L, определяют L.
В нек-рых чистых полупроводниках,
напр. в Ge, Д. д. может достигать неск. мм.
Лит. см. при ст.
Диффузия носителей заряда в полупроводниках. Э. M. Эпштейн.