индий

ИНДИЙ (Indium), In, - хим. элемент III группы периодич. системы элементов, ат. номер 49, ат. масса 114,82. В природе представлен двумя изотопами: стабильным ¹¹³In (4,28%) и слабо b^--радиоактивным ¹¹⁶In (95,72%, T_1/2=5.10¹⁴ лет). Электронная конфигурация внеш. оболочки 5s²p. Энергии последоват. ионизации 5,786, 18,869 и 28,03 эВ. Кристаллохим. радиус In 0,166 нм, иона In³⁺ 0,092 нм. Значение электроотрицательности 1,49. В свободном виде - серебристо-белый мягкий металл. Кристаллич. решётка тетрагональная с постоянными решётки а=0,4583 и с=0,4936 нм. Плоты. 7,31 кг/дм³, t_пл=156,78°С, t_кип=2024° С. Теплоёмкость С_р=26,7 Дж/(моль.К), теплота плавления 3,26 кДж/моль, теплота кипения 237,4 кДж/моль. Коэф. линейного расширения 33.10^-6 К^-1 (20°С), теплопроводность 87-80 Вт/(м.К) (при 250-400 К). Уд. сопротивление 0,0837 мкОм.м (0° С), температурный коэф. сопротивления 0,00490 К^-1 (0-100° С), модуль упругости 10,5 ГПа. Тв. по Бринеллю 9 МПа, предел прочности при растяжении 2,25 МПа, предел прочности при сжатии 2,15 МПа. В хим. соединениях проявляет степень окисления +3, реже +1 и +2. На воздухе при комнатной темп-ре устойчив, при нагревании окисляется. Осн. область применения И. и его соединений (InSb, InAs и InP) - полупроводниковые материалы. Так, InSb применяют в детекторах ИК-излучения. InAs используют также в приборах для измерения напряжённости магн. поля. Легирование микроколичествами И. полупроводниковых Si и Ge применяют для создания дырочной проводимости и р-n-переходов. Кроме того, И. используют как герметизирующий, припойный и коррозионно-стойкий материал в электронной промышленности. Индиевые покрытия обладают высокой отражат. способностью и могут применяться для изготовления зеркал и рефлекторов. С. С. Бердоносов.

   <<      Предметный указатель      >>