Технология производства экранов AMOLEDТехнология производства устройств отображения на жидких кристаллах или TFT уже очень долго и успешно применяется и находится на пике своей популярности. Но уже сейчас появилась, успешно разрабатывается и даже применяется AMOLED технология производства устройств отображения информации. И, возможно, что уже в самом скором будущем она вытеснит все свои жидкокристаллические аналоги. Далее... |
инклюзивное сечение
ИНКЛЮЗИВНОЕ СЕЧЕНИЕ - сечение инклюзивного процесса. Обычно измеряют дифференц. сечение процесса ab''cX образования частицы с, импульс к-рой р и энергия E, в интервале dp/E при соударении частиц а и b, Eds/dp (X - совокупность остальных вторичных частиц реакции). Эта величина инвариантна относительно продольных преобразований Лоренца и зависит от трёх переменных, например Eds/dp=f(s, p^ , p||), где Цs - полная энергия первичных частиц в системе центра инерции (с. ц. и.) [1, 2], а р^ и р|| - перпендикулярная и параллельная компоненты импульса частицы с относительно оси соударения. Этот набор переменных обычно используется при изучении процессов фрагментации первичных частиц в лаб. системе координат или в системе покоя падающей частицы. Для изучения масштабной инвариантности множеств, процессов используют также переменные и р^, где и - параллельный и макс, импульсы частицы с в с. ц. и.; в этих переменных (Eц.и.-энергия в с. ц. и.). Для сравнения данных, полученных в разных системах отсчёта, обычно используют переменные р^ и т. н. продольную быстроту частицы (в системе единиц ). В этом случае , причём форма
распределения частиц по у не меняется при переходе от одной системы к другой. При исследовании дифракц. процессов (х''1)часто используют квадрат переданного 4-импульса t=(pb-pc)2 или t=(ра-рс)2 и квадрат недостающей массы M2X=(pa+pb-pc)2 (рi-4-импульс частицы i); в этих переменных Eds/dp@
В опытах с электронными методами регистрации частиц дифференц. И. с. выражается через импульс р частицы и телесный угол W, ( dW=sinVdVdj, V, j - полярный и азимутальный углы). Применяют и др. переменные, связанные с предполагаемым механизмом рождения частицы с [1, 3].
Полное И. с. sинкл по определению равно:
где s(k) - полное сечение образования А частиц с. Если определить ср. число частиц с, образующихся в неупругих
ab-взаимодействиях, как
, где ,
то sинкл(с)=(nс)sнеупр(аb), т. е полное И. с. при высоких энергиях значительно больше, чем sнеупр(аb). Напр., в рр-взаимодействиях при энергии столкновения E@60 ГэВ <np>@15 и sинкл(p)@15 sнеупр(аb).
Лит. см. при ст. Инклюзивный процесс. В. Г. Гришин.