Технология производства экранов AMOLEDТехнология производства устройств отображения на жидких кристаллах или TFT уже очень долго и успешно применяется и находится на пике своей популярности. Но уже сейчас появилась, успешно разрабатывается и даже применяется AMOLED технология производства устройств отображения информации. И, возможно, что уже в самом скором будущем она вытеснит все свои жидкокристаллические аналоги. Далее... |
кривая роста
КРИВАЯ РОСТА - зависимость
интенсивности спектральной линии поглощения от числа атомов, участвующих
в её образовании. Применяется для определения физ. условий и содержания хим.
элементов в атмосферах звёзд, а также для определения сил осцилляторов .В
качестве параметра, характеризующего интенсивность линии, используется эквивалентная
ширина спектральной линии
(полная энергия излучения,
поглощённая в линии, выражаемая шириной соседнего участка непрерывного спектра,
в к-ром содержится
энергия, равная ):
где
(или )
- остаточная интенсивность, т. е. отношение интенсивности излучения на данной
длине волны
(частоте )
в пределах спектральной линии к интенсивности излучения в соседнем непрерывном
спектре. К. р. может быть построена на основанип эксперим. данных и вычислена
аналитически при известном коэф. поглощения в линии. Сравнение эксперим. и теоретич.
К. р. позволяет определить содержание хим. элементов, темп-ру возбуждения Тех (см. ниже) и скорость турбулентных движений
В рамках простейшей двухслойной
модели Шварцшильда - Шустера звёздная атмосфера условно разбивается на
два слоя - фотосферу (излучающую в непрерывном спектре) ц обращающий слой (однородный
слой, где образуются линии поглощения). В этом случае контур спектральной
линии определяется выражением
- оптическая
толщина обращающего слоя на частоте
в пределах линии, ni - концентрация поглощающих атомов,
- поглощения коэффициент на частоте ,
рассчитанный на 1
атом, Ni - число поглощающих атомов на луче зрения
(в столбе сечением 1 см2). В спектрах звёзд коэф. поглощения в линиях
большинства элементов определяется совместным действием эффекта Доплера (в центр.
областях линии) и эффектов затухания излучения (в крыльях линии):
где - коэф. поглощения в центре линии - частота, соответствующая переходу с i-го на k-й уровень энергии, fik - соответствующая сила осциллятора, - доплеровская полуширина ( - условный параметр), Т - темп-pa, т - масса атома, , где , - постоянные затухания вследствие излучения, - постоянная затухания вследствие столкновения атомов. При малых значениях , когда оптич. толша в центре линии = = не превосходит 0,5, линия слаба; контур её определяется гл. обр. эффектом Доплера, а растёт пропорц. (прямолинейный участок К. р.). При дальнейшем увеличении рост центр. областей линии замедляется и появляются крылья линии, определяемые процессами затухания излучения; эквивалентная ширина растёт медленнее: при 55 (пологий участок К. р.). При очень больших значениях (я, следовательно, ) контур линии определяется целиком процессами затухания излучения. В этом случае На рис. показано семейство теоретич. К. р., рассчитанных для модели Шварцшильда - Шустера при разл. значениях нормированной постоянной затухания
На практике для линий каждого
мультиплета (см. Мулътиплетностъ) данного элемента строят зависимость
,
получая при этом отрезки К. р., сдвинутые относительно друг друга по оси абсцисс
на величину
- разность потенциалов возбуждения ниж. уровней мультиплетов. (Абсциссы точек
К. р., полученных по линиям одного мультиплета, имеющим общий ниж. уровень,
отличаются только величиной ,
поскольку числа Ni для них одинаковы.) Перемещая эти отрезки
параллельно оси абсцисс, составляют из них полную К. р. Построенную К. р. сравнивают
с семейством теоретич. К. р. Сдвигая построенную К. р. вдоль осей координат
добиваются наилучшего совпадения с одной из теоретич. К. р. По величине сдвига
вдоль оси ординат находят параметр,
по к-рому оценивают .
По величине сдвига вдоль оси абсцисс для каждой линии определяют соответствующее
значение
и, следовательно, Ni ; по параметру z, соответствующему
выбранной теоретич. К. р., определяют
и т. о. роль столкновений в затухании излучения (т. е. концентрацию атомов в
обращающем слое). Предполагая Волъцмана распределение атомов по состояниям
возбуждения, по полученным Ni для линий разл. мультиплетов находят темп-ру возбуждения Тех (обычно по наклону графика зависимости lg Ni от потенциала
возбуждения )
и полное число атомов данного элемента на рассматриваемой стадии ионизации Nr.
По найденным Nr для элементов, у к-рых в исследуемом спектре
присутствуют лпнии двух стадий ионизации, с помощью Саха формулы определяют
темн-ру ионизации Тi и концентрацию свободных электронов пе. Используя эти данные, по ф-ле Саха находят числа атомов на луче зрения на
др. стадиях ионизации, не представленных линиями в данном спектре, и, следовательно,
полное число атомов данного элемента на луче зрения. Т. о. определяется хим.
состав звёздных атмосфер. Используя найденную полную К. р. и измерив линий,
у к-рых неизвестны силы осцилляторов, находят значения последних (т. н. солнечные
и звёздные силы осцилляторов).
Лит.: Соболев В. В., Курс теоретической астрофизики, 3 изд., М., 1985; Каули Ч., Теория звездных спектров, пер. с англ., М., 1974. Л. И. Антипова.