Процессоры INTEL — история успехаА начиналось все в далеком 1971 году, когда малоизвестная компания "Intel Corporation" получила от одной из японских корпораций заказ на разработку и изготовление набора логических микросхем для настольного калькулятора. Вместо этого, по инициативе инженеров "Intel", на свет появился первый четырехбитный микропроцессор 4004 Далее... |
криостат
КРИОСТАТ (от греч.
kryos - холод, мороз и statos - стоящий, неподвижный) - прибор для проведения
низкотемпературных фиа. исследований или тер-мостатирования разл. объектов при
низких (90-0,ЗК) и сверхнизких (T<0,3 К) темп-pax. К. различаются
как по физ. процессу, приводящему к охлаждению либо к поддержанию заданной темп-ры,
так и по используемому хладагенту.
Криостат откачки паров криожидкостей. Для получения и поддержания низких темп-р обычно применяют сжиженные газы, помещаемые в сосуды Дьюара. Откачивая пары этих газов, удаётся перекрыть следующие интервалы темп-р: 90-55 К (кислород); 78-63 К (азот); 27-24,5 К (неон); 20,4-14 К (водород); 4,2- 1,0 К (4Не). Для получения темп-р Т<1 К (до 0,3 К) используют 3Не, к-рый имеет более низкую, чем 4Не, темп-ру кипения и не образует сверхтекучих плёнок на стенках откачиваемых камер (см. Гелий жидкий). Для теплоизоляции К., заливаемого жидкими кислородом и азотом, обычно достаточной оказывается высоковакуумная изоляция либо суперизоляция из большого кол-ва слоев металлизиров. полимерной плёнки. В гелиевых К. применяются также тепловые экраны с использованием вспомогат. хладагента (напр., азота) либо охлаждения потоком паров гелия. В К. откачки паров 3Не тепловым экраном обычно служит ванна с 4Не (рис. 1). В гелиевой ванне располагается вакуумная камера, в к-рой подвешены обычно на тонкостенных нержавеющих трубках т. н. одноградусная камера (камера Уитли) и камера откачки 3Не. В первую камеру через дроссель непрерывно поступает жидкий 4Не из гелиевой ванны, к-рый одновременно откачивается, чем поддерживается равновесная темп-pa гелия (1,2-1,4К). Одноградусная камера в данной конструкции необходима для конденсации и макс. охлаждения 3Не, поступающего в камеру откачки 3Не. После одноградусной камеры поток жидкого 3Не также проходит через дроссель и поступает в камеру откачки 3Не. При этом ок. 10% поступающей жидкости расходуется на то, чтобы охладить её от 1,2К до 0.ЗК. Регулируя мощность, рассеиваемую в нагревателе, можно получать соответствующие темп-ры.
Рис. 1. Принципиальная
схема криостата непрерывной откачки паров 3Не: 1 - азотная
ванна, 2 - медный экран, 3 - гелиевая ванна, 4 - вакуумная
камера, 5 - одноградусная камера (камера непрерывной откачки 4Не),
6 - камера откачки 3Не, 7 - дроссели на линиях возврата 3Не
и 4Не, 8 - экраны теплового излучения.
С понижением темп-ры всё
более трудной задачей является установление хорошего теплового контакта между
исследуемым образцом и хладагентом (это особенно относится к исследованиям,
приводящим к разогреву образца,- оптическим, СВЧ и нейтронографическим). Для
уменьшения теплового сопротивления между образцом и криожидкостью (см. Капицы
скачок температуры)используют развитые поверхности из спечённого порошка
меди пли серебра. В зависимости от выполняемых исследований К. могут быть снабжены
оптич. окнами (оптический К.), сверхпроводящим соленоидом, СВЧ-вводами.
Давление насыщенных паров
над жидкостью уменьшается экспоненциально с понижением темп-ры. Поток массы
через границу раздела жидкой и газообразной фаз и через систему откачки пропорционален
давлению пара, и, следовательно, хладопроизводительность откачки К. уменьшается
экспоненциально с понижением темп-ры. Этим и определяется практич. температурный
предел К. откачки.
Криостат (рефрижератор)
растворения 3Не в 4Не. Действие К. этого типа основывается
на том, что энтальпия раствора, рассчитанная на 1 моль 3Не в растворе,
существенно больше энтальпии концентрированного 3Не. По этой причине
процесс растворения 3Не в 4Не при пост. давлении сопровождается
поглощением теплоты Q. Большая хладопроизводительность этого метола связана также с тем, что при
Т0
растворимость 3Не в 4Не остаётся конечной н равной 6%
для насыщенного раствора. В этом случае при растворении 1 моля 3Не
поглощается кол-во теплоты Q=94,5
Т2т- - 12,5 Тc2, где
Тт- темп-pa раствора 3Не в 4Не; Тс - темп-pa поступающего 3Не. Для непрерывной работы К. растворения
требуется разделение используемых 3Не и 4Не. С этой целью
производят откачку паров над смесью при Т
(0,6-0,8)К. При этих темп-pax давление насыщенного пара 3Не более
чем на порядок превышает давление паров 4Не. Т. о., откачивается
практически 3Не. Др. способ разделения изотопов - прохождение раствора
через сверхтекучий фильтр, пропускающий только сверхтекучий компонент 4Не
и задерживающий нормальный компонент и примесь 3Не. В первом случае
в К. растворения циркулирует 3Не (рис. 2, а), во втором случае -
4Не (рис. 2, б). Макс. охлаждение 3Не, поступающего
в камеру растворения, достигается с помощью противоточных теплообменников. Темп-pa,
получаемая в К. растворения с циркуляцией 3Не, определяется в основном
эффективной площадью поверхности теплообменников (,
м2), скоростью циркуляции 3Не (,
моль/с) и притоком теплоты к камере растворения (,
Вт):
где Rк- УД- сопротивление Капицы (10-2 м2К/Вт).
Рис. 2. Принципиальная
схема криостатов растворения 3Не в 4Не: а - с циркуляцией
3Не; б - с 4Не (сосуд Дьюара и гелиевая ванна не
показаны); 1 - одноградусная камера, 2 - вакуумная камера, 3 - камера растворения, 4 - камера испарения, 5 - сверхтекучий
фильтр, 6 - непрерывный теплообменник, 7 - ступенчатые теплообменники,
8 - камера расслоения 3Не и 4Не, 9 - камера откачки
3Не, Р - раствор 3Не в 4Не, К - концентрированный
3Не.
Для получения мин. темп-р
в К. растворения необходимо максимально ограничить приток теплоты и развить
поверхность теплообменников. При 250
м2 в К. растворения получена темп-ра 2 мК. К. растворения с циркуляцией
10-3
моль/с и хладопроизводительностью 100/T4
Вт (при Т6-30
мК) хорошо зарекомендовали себя в качестве рефрижераторов для предварит. охлаждения
ступеней адиабатич. размагничивания (см. Магнитное охлаждение).
Кристаллизационный криостат
3Не основан на использовании Померанчука эффекта ,согласно
к-рому в области темп-р 1-300 мК величина производной от давления по темп-ре
на
кривой плавления 3Не отрицательна. Вследствие этого адиабатич. сжатие
3Не приводит к понижению его темп-ры с одноврем. образованием
твёрдой фазы. Практически кристаллизация 3Не позволяет получить Т1
мК, если 3Не был предварительно охлаждён до 10-30 мК. Принципиальная
схема кристаллизационного К. показана на рис. 3. Камера с подвижными стенками,
заполненная 3Не, соединена хладопроводом с рефрижератором, обеспечивающим
предварит. охлаждение (обычно К. растворения 3Не в 4Не).
На хладопроводе имеется тепловой ключ, служащий для размыкания теплового контакта
между рефрижератором и компрессионной камерой. Давление 3Не в компрессионной
камере поднимают через систему (линию) заливки 3Не до 2,93 *106
Па (29,3 бар), что соответствует минимуму на кривой плавления 3Не.
Дальнейшее сжатие 3Не через систему заливки невозможно, т. к. в последней
образуется пробка твёрдого 3Не в области, соответствующей темп-ре
300 мК. Дальнейшее повышение давления в компрессионной камере обычно осуществляется
прессом, заполненным 4Не. Кристаллизационный К. применяют для исследований
низкотемпературных свойств жидкого и твёрдого 3Не.
Рис. 3. Принципиальная
схема кристаллизационного криостата 3Не: 1 - рефрижератор
предварительного охлаждения, 2 - тепловой ключ, 3 - хладопровод,
4 - компрессионная камера, 5 - пресс с 4Не.
Рис. 4. Принципиальная
схема криостата ядерного размагничивания меди (ИФП АН СССР): 1 - ванна
с гелием, 2 - вакуумная камера, 3,7 - тепловой экран, 4 - камера
растворения 3Не в 4Не, 5 - конические тепловые
контакты, 6 - сверхпроводящий тепловой ключ, 8 - хладопровод,
9 - экспериментальная камера, 10 - экспериментальный соленоид,
11 - основной сверхпроводящий соленоид, 12 - ступень ядерного
размагничивания.
Криостаты адиабатич.
размагничивания основаны на использовании магнитокалорического эффекта,
заключающегося в изменении темп-ры Т магн. вещества при адиабатич. изменении
напряжённости магн. ноля H. Для К. используют обычно парамагнитные спиновые
системы, адиабатич. размагничивание к-рых приводит к понижению Т. Процесс
понижения темп-ры при адиабатич. размагничивании ограничивается областью T,
при к-рой спиновая система переходит в магнитоупорядоченное состояние. С др.
стороны, для макс. хладопроизводительности метода желательно иметь стартовые
условия вблизи темп-рной аномалии теплоёмкости системы, возникающей при равенстве
тепловой и магн. энергий. Эти два требования определяют выбор хладагентов для
К. адиабатич. размагничивания. В области стартовых темп-р 1000-100 мК используются
парамагн. соли (напр., церий-магниевый нитрат позволяет получить темп-ру до
2мК). В области стартовых темп-р 100-10 мК применяются ванфлековские парамагнетики,
эффективный магн. момент к-рых варьируется в широком диапазоне - от электронного
до ядерного. Используя PrNi5, удаётся получить темп-ру до 0,5 мК.
При более низких стартовых
темп-pax и применении мощных сверхпроводящих соленоидов удаётся использовать
эффект адиабатич. размагничивания ядерных спиновых систем.
К. размагничивания могут
включаться последовательно. Так, в двухступенчатых К. размагничивания, когда
первая массивная ступень из меди либо из PrNi5 при размагничивании
охлаждает вторую медную ступень, после размагничивания последней удаётся получить
темп-ру ядер меди 10
нК. При этом темп-pa кристаллич. решётки меди и электронов проводимости составляет
10 мкК.
На рис. 4 показана принципиальная
схема К. ядерного размагничивания меди. Ядерная ступень, помещённая в поле.
80 кЭ,
охлаждается мощным К. растворения до Т10
мК. Затем размыкается сверхпроводящий тепловой ключ и осуществляется размагничивание
(в течение 2-10 ч). За это время в системе успевает установиться тепловое равновесие
и охладиться экспериментальная камера. Т. о. удаётся охладить камеру, содержащую
сверхтекучий 3Не, до Т100
мкК.
Лит.: Справочник
по физико-техническим основам криогеники, под ред. М. П. Малкова, 3 изд., М.,
1985; Растворы квантовых жидкостей, М., 1973; Лоунасмаа О. В., Принципы и методы
получения температуры ниже 1 К, пер. с англ., М., 1977. Ю. М. Буньков.