лауэграмма

ЛАУЭГРАММА - рентгенограмма, содержащая дифракционное изображение монокристалла, полученная Лауэ методом. Дифракц. максимумы на Л. расположены вдоль кривых 2-го порядка (зональных кривых), вершины к-рых лежат в точке Пересечения прямого пучка рентг. лучей с фотоплёнкой (рис.). Дифракц. максимумы, принадлежащие одной зональной кривой, образованы отражением лучей от семейства атомных плоскостей кристалла, проходящих через к--л. узловую прямую в кристаллич. структуре (зона). Каждая зона содержит бесконечное число плоскостей. Однако дифракция возможна лишь на тех плоскостях, для к-рых выполняется условие где - мин. длина волны в спектре падающего на кристалл излучения, - угол Брэгга, d - межплоскостное расстояние для данного семейства атомных плоскостей. Поэтому любая зона даёт конечное число отражённых лучей, распространяющихся вдоль образующих конуса, осью к-рого является узловая кривая. При этом каждый дифракц. максимум на Л. лежит на пересечении многих зональных кривых, т. к. соответствующая атомная плоскость одновременно принадлежит всем тем зонам, оси к-рых параллельны ей. Отсутствие дифракц. максимумов в центре Л. обусловлено существованием КВ-границы в спектре падающего излучения.

Лауэграмма монокристалла берилла, снятая вдоль оси симметрии 2-го порядка.

Если первичный луч распространяется вдоль к--л. симметричного направления в кристалле, то Л. обладает определ. симметрией в расположении дифракц. максимумов. Всего существует 10 классов дифракц. (лауэвской) симметрии Л. По нескольким Л., полученным при разл. положениях кристалла, можно определить ориентировку его кристаллографич. осей относительно выбранной системы координат. Л., снятая вдоль к--л. симметричного направления в кристалле, всегда обладает центром симметрии, поэтому без привлечения дополнит. данных невозможно однозначно установить принадлежность кристалла к одной из 32 групп точечной симметрии кристаллов. Присутствие на Л. систематич. погасаний используется для установления пространственной группы симметрии кристалла.

Исходным пунктом исследования кристалла по Л. является её индицирование, т. е. установление кристаллографич. индексов систем атомных плоскостей, дающих соответствующие дифракц. максимумы, для чего разработаны спец. методы. Интенсивность и форма дифракц. максимумов на Л. сложным образом зависят от распределения энергии по спектру падающего излучения, величины структурного фактора и различных угловых множителей (см. Дифракция рентгеновских лучей ),формы и реального строения кристалла и др. факторов. Кроме того, в каждый дифракц. максимум вносят вклад отражения разных порядков кратных длин волн . . .) от одной и той же системы атомных плоскостей (см. Брэгга - Вулъфа условие), что исключает применение Л. для расшифровки структуры кристаллов и установления абс. размеров элементарной ячейки кристалла (см. Рентгеновский структурный анализ). А. В. Колпаков.

   <<      Предметный указатель      >>