НАНОТЕХНОЛОГИИ И СЕНСОРЫАмериканские ученые создали новый вид имплантируемого сенсора для мониторинга содержания глюкозы в крови. Устройство вводится под кожу и фиксирует изменения в составе крови в режиме реального времени. Далее... |
магнитная проницаемость
МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ
- величина, характеризующая реакцию среды на воздействие внеш. магн. поля напряжённостью
H. М. п. количественно определяется отношением
, где В - магн. индукция. С точки зрения электродинамики, М. п. аналогична
диэлектрической проницаемостии
симметрично с ней входит в т. н. материальные ур-ния, дополняющие систему Максвелла
уравнений, определяя, в частности, показатель преломления среды
М. п. связана с магнитной восприимчивостью соотношением
(в Гаусса системе единиц), из к-рого следует, что
для парамагнетиков ,для
диамагнетиков ив
вакууме (в системе СИ для вакуума
X. В анизотропной
среде М. п. анизотропна, m является тензором. В общем случае переменного и неоднородного
внеш. поля М. п. комплексна
причём
и есть ф-ции
частоты w и волнового вектора q; наз.
динамической неоднородной М. п.,
- статической однородной М. п. Мнимая часть
описывает поглощение (т. е. потери) эл--магн. энергии в веществе,
и связаны
между собой, как и диэлектрич. проницаемости
и Крамерса-Кронига
соотношениями.
М. п. является одной из
осн. характеристик магн. веществ и материалов. В магнитоупорядоченных средах
М. п. зависит от поля Н, поскольку намагниченность М в этом случае
является нелинейной ф-цией Я. Обычно рассматривают т. н. начальную М. п.
и дифференциальную М. п.
Интервал значений
для разл. магнетиков очень велик - от единиц до 106 в магнитно-мягких
материалах.
При определении истинной
М. п. реальных образцов необходимо учитывать эффекты размагничивания. Внутр.
поле в образце
откуда
где N - размагничивающий
фактор. Тогда М. п. тела
с учётом эффектов размагничивания
Зависимость m (H)
тесно связана с магнитной доменной структурой вещества и с процессами
её изменения при намагничивании. Поэтому изучение этой зависимости даёт важную
информацию о доменной структуре, подвижности доменных стенок и т. д.
В слабых полях m обычно
определяется процессами смещения доменных стенок и имеет большую величину. Для
т. н. процессов вращения в намагничиваемых магнитно-твёрдых материалах значение
меньше
, где Мs - намагниченность насыщения, а К - константа
анизотропии). Функция
сначала растёт, достигая максимума при поле
(Нс - коэрцитивная сила), а затем падает. Зависимость m (H)
может быть обратимой (в слабых полях в магнитно-мягких материалах) или необратимой.
Последнее связано с гистерезисными явлениями (см. Гистерезис магнитный). Температурная зависимость М. п. определяется разл. механизмами при разных
Я. Так, в области, где намагничивание определяют процессы вращения,
(Hа
- поле анизотропии).
Значение
константа анизотропии
порядка п)и, следовательно,сильно
растёт с приближением к точке Кюри TC в соответствии с общей теорией
критических явлений.
Важную роль как в исследованиях
по физике магнетизма, так и в технич. применениях магн. материалов играет зависимость
комплексной М. п. от частоты
переменного внеш. поля .
Типичный вид кривых и
приведён на рис. 1.
Рис. 2. Дисперсия комплексной
магнитной проницаемости для релаксационного механизма, см. формулы (8).
Рис. 3. Диаграмма Аржана (или Коле и Коле) зависимости
Имеется неск. факторов,
обусловливающих дисперсию
. В материалах с большой проводимостью существеннуюрольиграют вихревые токи,
приводящие к большим потерям энергии (
велико). Поэтому широкое применение в технике нашли высокоомные магн. материалы
(ферриты). Тем не менее и в ферритах большие значения
при малых потерях
наблюдаются лишь в определённом интервале частот. Это обусловлено явлением
ферромагнитного резонанса на частоте
( - магнитомеханическое
отношение). При значит. размагничивающих факторах wr может
возрастать до значения
, что при наличии
доменной структуры приводит к образованию широкой частотной полосы потерь
ввиду возможности разл. ориентации доменов относительно направления переменного
поля
с соответствующим изменением их размагничивающих факторов. Лишь при
потери становятся
малыми. Ещё одной причиной дисперсии m(w) являются релаксац. процессы, ответственные
также за магнитную вязкость вещества. Эффект связан с отставанием намагниченности
от внеш. поля. Время релаксации
, где Ет- энергия активации, а
есть t при
Если имеется только одно время релаксации, то
и описываются
ф-лами
где
, а -
равновесное значение М при данном поле H. Ф-ции (-
и
изображены на рис. 2. Из ф-л (8) видно, что
и связаны
друг с другом. Можно
построить т. н. диаграммы Аржана (или Коле и Коле)
(рис. 3), имеющие вид полуокружности, на к-рые укладываются значения
и при
разных
w и . Если
дисперсия определяется в основном релаксац. механизмом, то эксперим. данные
хорошо ложатся на эту полуокружность. Значение ,
определённое из ВЧ-измерений, оказывается для мн. ферритов хорошо совпадающей
со значением энергии активации ,
полученной из измерении электросопротивления. Кроме указанных причин дисперсия
может
вызываться нелинейностью зависимости В=В(Н)и гистерезисом.
Лит.: Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Электродинамика сплошных сред, 2 изд., М., 1982; Смит Я., Вейн X., Ферриты, пер. с англ., М., 1962. Ю. П. Ирхин.