Мемристоры внедряются в электрические цепиВ полку всевозможных «исторов» ожидается пополнение. Мемристор - название нового элемента, применяемого в электрических цепях нового поколения. Мир познакомился с новым элементом на демонстрации в НР Labs. Компания НР совместно с Hynix Semiconductor Inc серьёзно занялись проблемой вывода мемристоров на рынок. Далее... |
моттовские диэлектрики
МОТТОВСКИЕ ДИЭЛЕКТРИКИ (диэлектрики Мот-та
- Хаббарда) - кристаллы с диэлектрич. свойствами, происхождение к-рых связано
не с влиянием пе-риодич. поля кристаллич. решётки (как в обычных диэлектриках или полупроводниках типа Ge и Si), а с сильным межэлектронным взаимодействием.
Это состояние реализуется, если характерная энергия межэлектронного (кулоновского)
взаимодействия U = е2/
( - ср. расстояние
между электронами) больше ср. кинетич. энергии электронов, мерой к-рой является
ширина разрешённой зоны
(т - эффективная масса электрона). При U < W пригодна
простая зонная диаграмма твёрдого тела (см. Зонная теория ).Если U > W, то ситуация радикально изменяется. Зона может быть заполнена
электронами частично, как в металлах, однако движению электронов, необходимому
для переноса заряда, "мешают" др. электроны, находящиеся на соседних
атомах. Своим отталкиванием они "запирают" (локализуют) каждый электрон
на своём атоме и делают вещество диэлектриком. Это имеет место в системе, если
> а0, где a0 - боровский радиус. Более
аккуратный анализ даёт критерий n1/3 a0
0,02, где n - концентрация электронов.
При малой концентрации (n1/3
a0 < 0,02) в электро-нейтральной системе электроны и дырки
образуют связанные состояния - экситоны и вещество, лишённое носителей
заряда, оказывается непроводящим - диэлектриком. При большей концентрации (n1/3а0>
> 0,02) экранировка кулоновского взаимодействия приводит к исчезновению связанных
состояний и происходит переход диэлектрик-металл ( переход Mотта, см. Переход
металл - диэлектрик). В 1949 H. Ф. Мотт (N. F. Mott) объяснил переход кристалла
из металлич. состояния в диэлектрическое при изменении давления и темп-ры уменьшением
W.
Др. трактовка M. д. основана на использовании
дискретной модели, описывающей электроны, перемещающиеся с узла j на
узел i кристалла (с матричным элементом перехода t)при отталкивании
двух электронов на одном узле (модель Хаббарда). Мерой кинетич. энергии электронов
при этом также является ширина электронной зоны W = 2zt, где z
- число ближайших электронов-соседей. Если в системе имеется один электрон на
узел (центр) (концентрация электронов n = Nэл/Nат
= 1) и W > U, то вещество будет металлом с наполовину заполненной
зоной. Однако при сильном взаимодействии (U > W)в осн. состоянии
электроны локализованы на своих центрах и вещество оказывается M. д. Чтобы создать
в такой системе подвижные носители заряда, надо "пересадить" электрон
со "своего" узла на какой-то другой, на к-ром уже есть электрон;
на это надо затратить энергию ~U, а выигрыш в энергии за счёт делокализации
получающихся дырки и лишнего электрона порядка W, так что при U >
W это невыгодно, н вещество остаётся диэлектриком со щелью ~(U
- W)(щель Мотта - Хаббарда), хотя с точки зрения обычной зонной схемы
оно было бы металлом.
Реально к M. д. принадлежат мн. соединения переходных
и редкоземельных металлов с частично заполненными внутренними d - или
f-оболочками. В силу малого радиуса d- и f-орбиталей их
перекрытие и матричный элемент перехода малы, и для них легко выполняется условие
U > W.
В фазе M. д. на центре имеются локализов. электроны,
т. е. локализов. магн. моменты. Соответственно подобные вещества обычно обладают
магн. упорядочением, как правило, они - антиферромагнетики .Магн. упорядочение
в этом случае обусловлено т. н. косвенным обменным взаимодействием; оно
возникает при частичной делокализации электронов - виртуальных переходах их
на соседние (занятые) центры. Так описываются электронная структура и магн.
свойства мн. соединений переходных металлов типа NiO. В непрерывной среде (без
учёта периодич. потенциала решётки) состоянием, родственным M. д., является
т. н. вигне-ровский кристалл, в к-ром электроны при малой плотности локализуются
и образуют кристаллич. структуру с периодом, определяемым их плотностью.
При изменении внеш. условий (давления, темп-ры,
состава соединения) в веществах, находящихся в фазе M. д., может произойти переход
в металлич. состояние. Он может сопровождаться изменениями в кристаллич. структуре
и исчезновением магн. упорядочения. Механизм перехода Мотта во многом ответствен
за переход металл - диэлектрик в таких веществах, как V2O3,
или в парах металлов.
Лит.: Мотт H. Ф., Переходы металл-изолятор,
пер. с англ., M., 1979; Бугаев А. А., 3ахарченя Б. П., Чудновский F. А.,
Фазовый переход металл - полупроводник и его применение, Л., 1979; Хомский Д.
И., Необычные электроны в кристаллах, M., 1987. Д. И. Хамский.
MOTTOBCKOE РАССЕЯНИЕ - рассеяние, обусловленное
взаимодействием спина заряженной частицы с её орбитальным моментом, возникающим
при движении в электрич. поле рассеивающего центра. Носит имя H. Ф. Мотта (N.
F. Mott), разработавшего релятивистскую теорию рассеяния электронов. Характерной
особенностью M. р. является его асимметрия
относительно плоскости, содержащей спин и импульс электрона. Такая асимметрия
используется для измерения поляризации электронов (см. ниже).
Рис. 1. Асимметрия моттовского рассеяния:
вверху - траектории - электронов (поляризованных перпендикулярно плоскости чертежа),
пролетающих слева и справа от кулоновского- центра- С; внизу-вависимость
потенциальной энергии электронов
от расстояния x до С. Сплошные линии соответствуют электростатической
энергии; пунктир - полной энергии, включающей энергию спинорбитального взаимодействия.
Пусть в системе покоя электронов, в к-рой определено
направление их спинов, движется рассеивающий за-ряж. центр со скоростью u. Ток, соответствующий движению этого
центра, создаёт магн. поле H = E.u/c, где E - напряжённость электрич. поля, создаваемого
центром. T. о., в системе отсчёта, движущейся вместе с электроном, на его спин
действует эфф. магн. поле, созданное током, т. е. рассеивающим заряж. центром.
Это приводит к изменению энергии электрона на величину mH,
где m - магн. момент электрона, связанный с его спином s: m = (e/mc)s (e, m - заряд и масса электрона).
Пусть две траектории электронов 1 и
2 проходят на мин. расстоянии x от положительно заряженного ку-лоновского
центра С (рис. 1). В зависимости от того, слева (х < 0) или
справа (х > 0) от центра проходит электрон, он рассеивается соответственно
направо или налево. Если спин электронов направлен вдоль оси +у, их магн.
момент m направлен вдоль -у (т. к. е < 0). На спины
электронов, движущихся слева и справа от кулоновского центра, действуют противоположно
направленные магн. поля, индуцированные относит. движением этого центра. Это
приводит к разл. изменению потенц. энергии (х)электронов на траекториях 1 и 2 (рис. 1). Для траектории 1 энергия спин-орбитального взаимодействия mH прибавляется
к энергии (х)эл--статич. взаимодействия; для траектории 2 вычитается из (х). T. о., суммарная потенц. энергия оказывается нечётной ф-цией. При этом электронам,
пролетающим слева от С, соответствует больший рассеивающий потенциал,
чем для электронов, пролетающих на том же расстоянии справа от С. Различие
в потенциалах приводит к увеличению интенсивности рассеяния вправо по сравнению
с интенсивностью рассеяния влево. Очевидно, что при изменении ориентации спинов
(или скоростей) на противоположную знак асимметрии изменится.
Асимметрия M. р. приводит к поляризации исходно
неполяризов. электронов, рассеиваемых в заданном направлении. При этом поляризация
электронов P = S(J)h,
где h - единичный вектор вдоль нормали к плоскости рассеяния,
включающей начальный p и конечный р' импульсы,
J-угол между
р и р', S(J)-т.
н. ф-ция Шермана (рис. 2). Эта ф-ция определяет степень поляризации электронов:
P = (п+ - п_)/(п+ + п_), где n+
и п_ -числа электронов с противоположно направленными спинами. Направо
рассеиваются преимущественно электроны со спинами, ориентированными вдоль оси
+y, налево - вдоль -у [при этом величина S(J)
для рассеянных налево и направо электронов составляет +S и -S].
Эта же ф-ция S(J)
определяет
величину асимметрии рассеяния частично поляризованных
вдоль h электронов: А = (Nл
- Nпр)/(Nл+ +Nпр).
Здесь Nл и Nпр - числа электронов, рассеянных
налево и направо. Зная S(J)
по измеряемой величине А, анализируется поляризация электронов P; на этом принципе работает детектор Мотта. T. о., анализирующая и поляризующая
способности M. р. характеризуются ф-цией Шермана. Зная S(J),
можно определить поляризацию электронов (с энергией
>=100 кэВ), рассеиваемых атомными ядрами на достаточно большие углы, когда
можно пренебречь эффектами экранировки кулоновского барьера ядра. Величина
S растёт с ростом заряда ядра, степень поляризации электронов, рассеянных
на золоте, может достигать 40-50%.
Рис. 2. Функция Шермана для золота при энергии электронов 0,1 Мэв и 2,о МэВ.
Детектор Мотта используется для калибровки др.
поляризац. детекторов. Типичная схема эксперимента с детектором Мотта представлена
на рис. 3. Если изме-ряется поляризация электронов с малой энергией, они предварительно
ускоряются до энергии
~ 100 кэВ с помощью ускорителя 1 и после рассеяния под углом J
= +120° на золотой фольге 2 регистрируются детекторами 3 и
4. Детектор Мотта использовался при исследовании несохранения чётности
при бета-распаде ядер, к-рая приводит к возникновению продольной поляризации
электронов (вдоль их импульса). T. к. детектор измеряет только поперечную поляризацию
электронов, использовались дополнит. электрич. или магн.
поля, обеспечивающие относит. разворот век- торов импульса и спина электронов.
Рис. 3. Схема детектора Мотта: 1 -
ускоритель; 2 - золотая фольга;
3, 4 - счётчики электронов.
Для исключения влияния многократного рассеяния
электронов на меньшие углы при том же результирующем угле J
необходимо использовать мишени с относительно небольшой плотностью атомов. Так,
напр., плотность пучка атомов Hg (мишень) должна соответствовать давлению p < 10-3 мм рт. ст.; толщина золотой фольги, используемой в
детекторах Мотта, не должна превышать 100 нм.
Лит.: Мотт H., Mесси Г., Теория атомных столкновений, пер. с англ., [3 изд.], M., 1969. В. Г. Флейшер.