Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
Процессоры INTEL — история успеха
А начиналось все в далеком 1971 году, когда малоизвестная компания "Intel Corporation" получила от одной из японских корпораций заказ на разработку и изготовление набора логических микросхем для настольного калькулятора. Вместо этого, по инициативе инженеров "Intel", на свет появился первый четырехбитный микропроцессор 4004 Далее...

Intel corp.

мышьяк

МЫШЬЯК (лат. Arsenicum), As,- хим. элемент гл. подгруппы V группы периодич. системы элементов, ат. номер 33, ат. масса 74,9216. В природе представлен одним стабильным нуклидом 75As. Электронная конфигурация внеш. оболочки 4s2p3. Энергии последоват. ионизации равны соответственно 9,82; 18,62; 28,35; 50,1 и 62,6 эВ. Металлич. радиус 0,148 нм, радиусы ионов As3-, As3+ и As5+ равны соответственно 0,191, 0,069, 0,047 нм. Значение электроотрицательности 2,20.

При обычных условиях устойчив т. н. серый a-As, обладающий ромбоэдрич. кристаллич. структурой с параметрами a= 0,4129 нм и a = 54,1°. Плотн. a-As 5,72 кг/дм3. При быстром охлаждении паров M. образуется мягкий жёлтый M. (g-As) с кубич. кристаллич. структурой, его плотн. 1,97 кг/дм3. Кроме того, известны чёрный аморфный b-As и др. его аморфные формы. При нагревании выше 270 0C все эти формы переходят в a-As. При давлении 3,6 МПа tпл = 817 0C. Теплота плавления 21,8 кДж/моль, теплота возгонки 33 кДж/моль. Уд. теплоёмкость 0,326 кДж/(кг·К) (18 0C), коэф. термич. линейного расширения 5,6.10-6 К-1 (40 0C). Для a-As уд. электрич. сопротивление 35.10-2 мкОм.м. TB. по Бринеллю 1,47 ГПа, по шкале Мооса - 3-4. M. диамагнитен. Темп-pa Дебая 224 К.

Обладает ср. хим. активностью, в соединениях проявляет степени окисления -3, +3 и +5. M.- сильный яд, его мн. соединения также сильно ядовиты. M. вводят в состав нек-рых баббитов и типографских сплавов. M. входит в состав спец. стёкол, напр. "иенского" стекла для термометров. Соединения M. с селеном (As2Se3),

теллуром (As2Te3), индием (InAs)- полупроводниковые материалы, используются в фотоэлементах, фоторезисторах и др. Особенно велико значение для полупроводниковой техники арсенида галлия (GaAs), сохраняющего свои электрич. свойства в интервале темп-р от минусовых до 500° С. В качестве радиоакт. индикаторов используют искусственно получаемые радионуклиды 73As (электронный захват, T1/2 = 80,3 сут), 74As (электронный захват, b+- и b--распады, T1/2 = 17,78 сут) и образующийся при облучении M. тепловыми нейтронами 76As (b-распад, T1/2=26,32 ч). С.С. Бердоносов.

  Предметный указатель