Процессоры INTEL — история успехаА начиналось все в далеком 1971 году, когда малоизвестная компания "Intel Corporation" получила от одной из японских корпораций заказ на разработку и изготовление набора логических микросхем для настольного калькулятора. Вместо этого, по инициативе инженеров "Intel", на свет появился первый четырехбитный микропроцессор 4004 Далее... |
мышьяк
МЫШЬЯК (лат. Arsenicum), As,- хим. элемент
гл. подгруппы V группы периодич. системы элементов, ат. номер 33, ат. масса
74,9216. В природе представлен одним стабильным нуклидом 75As. Электронная
конфигурация внеш. оболочки 4s2p3. Энергии
последоват. ионизации равны соответственно 9,82; 18,62; 28,35; 50,1 и 62,6 эВ.
Металлич. радиус 0,148 нм, радиусы ионов As3-, As3+ и
As5+ равны соответственно 0,191, 0,069, 0,047 нм. Значение электроотрицательности
2,20.
При обычных условиях устойчив т. н. серый a-As,
обладающий ромбоэдрич. кристаллич. структурой с параметрами a= 0,4129
нм и a = 54,1°.
Плотн. a-As 5,72
кг/дм3. При быстром охлаждении паров M. образуется мягкий жёлтый
M. (g-As) с кубич. кристаллич. структурой, его плотн. 1,97 кг/дм3.
Кроме того, известны чёрный аморфный b-As
и др. его аморфные формы. При нагревании выше 270 0C все эти формы
переходят в a-As. При давлении 3,6 МПа tпл = 817 0C.
Теплота плавления 21,8 кДж/моль, теплота возгонки 33 кДж/моль. Уд. теплоёмкость
0,326 кДж/(кг·К) (18 0C), коэф. термич. линейного расширения 5,6.10-6
К-1 (40 0C). Для a-As уд. электрич. сопротивление
35.10-2 мкОм.м. TB. по Бринеллю 1,47 ГПа, по
шкале Мооса - 3-4. M. диамагнитен. Темп-pa Дебая 224 К.
Обладает ср. хим. активностью, в соединениях
проявляет степени окисления -3, +3 и +5. M.- сильный яд, его мн. соединения
также сильно ядовиты. M. вводят в состав нек-рых баббитов и типографских сплавов.
M. входит в состав спец. стёкол, напр. "иенского" стекла для термометров.
Соединения M. с селеном (As2Se3),
теллуром (As2Te3), индием
(InAs)- полупроводниковые материалы, используются в фотоэлементах, фоторезисторах
и др. Особенно велико значение для полупроводниковой техники арсенида галлия
(GaAs), сохраняющего свои электрич. свойства в интервале темп-р от минусовых
до 500° С. В качестве радиоакт. индикаторов используют искусственно получаемые
радионуклиды 73As (электронный захват, T1/2 = 80,3
сут), 74As (электронный захват, b+-
и b--распады,
T1/2 = 17,78 сут) и образующийся при облучении M. тепловыми
нейтронами 76As (b-распад,
T1/2=26,32 ч). С.С. Бердоносов.