p-n - переход

p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n-область) и дырочной (р-область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате изменяющегося в пространстве легирования донорной и акцепторной примесями одного и того же полупроводника (напр., Si), и гетеропереход ,в к-ром р-область и n-область принадлежат разл. полупроводникам. Термин "р - п.-П." как правило, применяют к гомопереходам.
Обеднённый слой. Из-за большого градиента концентрации электронов (п)и (обратного ему по знаку) градиента концентрации дырок (р)в р - n-П. происходит диффузионное перетекание электронов из п-об-ласти в р-область и дырок в обратном направлении. Его следствием является накопление избыточного положит. заряда в n-области и отрицательного - в р-области (рис. 1). При этом появляется электрич. поле, направленное из n-области в р-область, действие к-рого на электроны и дырки (при термодинамич. равновесии) компенсирует действие градиентов концентрации, т. е. диффузионные потоки электронов и дырок уравновешиваются дрейфовыми потоками во внутреннем электрич. поле Е_вн перехода. Поле Е_внобусловливает диффузионную разность потенциалов V_Д (аналог контактной разности потенциалов), величина к-рой (для невырожденных носителей) в р- и n-областях выражается ф-лой

Здесь е - заряд электрона, Т - темп-pa полупроводника, n_i - концентрация электронов в собств. полупроводнике, п_п и р_р - концентрации электронов и дырок в п- и р-областях. Внутр. электрпч. поле сосредоточено в обеднённом (запорном) слое р - n-П., где концентрации носителей обоих типов меньше концентраций основных носителей в р- и n-областях вдали от перехода (п<п_п, р<р_р), а мин. уровень суммарной концентрации электронов и дырок достигает значения (п+ р)_мин= 2n_i. Т. к. в обеднённом слое, как правило, разность концентрации свободных носителей мала по сравнению с разностью концентраций ионизиров. доноров (N_д) и акцепторов (N_a), границы этого слоя с квазинейтральными р- и n-областями w_p и w_nмогут быть найдены (после приближённого интегрирования Пуассона уравнения в одномерном случае) из ф-л

где e - диэлектрпч. проницаемость полупроводника.

Рис. 1. Схематическое изображение р - n-перехода; чёрные кружки - электроны, светлые - дырки.

Т. к. Ферми уровень во всём полупроводнике при термодинамич. равновесии должен быть единым, то в области перехода энергетич. зоны полупроводника изгибаются (рис. 2), так что образуется потенциальный барьер, высота к-рого равна V_д.
Внеш. напряжение U, приложенное к р - n-П., в зависимости от знака уменьшает (прямое смещение, плюсы соответствуют р-области) или увеличивает (обратное смещение) напряжённость электрич. поля в обеднённом слое, сужая или расширяя его при этом. Зависимость положения границ слоя w_n, w_p, от смещения U может быть найдена из ф-л (2),
где следует заменить V_Д на V_Д - U (U > 0 при прямом смещении и U < 0 - при обратном). В случае резкого сильно асимметричного р⁺ - п-П. (N_a N_Д)с т. н. металлургич. границей (на к-рой N_Д - N_a =0) x₀ =0 и однородно легированной n-областью (N_д = const):

В случае плавного р - п-П. с пост. градиентом разности концентрацией доноров и акцепторов (N_д - N_a = ах, а = const):

Рис. 2. Зонная диаграмма (н) и концентрации электронов и дырок (б) в области р - п-перехода; - дно зоны проводимости, - вершина валентной зоны; - уровень Ферми.

Определяемая толщиной обеднённого слоя w(U)= |w_n(U) - w_p(U)| зарядная ёмкость С₃ р - п-П. уменьшается с ростом обратного смещения но закону С₃ ~ (|U| + V_Д)^-1/² в случае ф-лы (3) (для резкого перехода) и С_з ~ (| U| + V_Д)^1/3 - в случае ф-лы (4) (для плавного перехода). При увеличении прямого смещения зарядная ёмкость растёт. Измерение зависимости C₃(U)позволяет исследовать изменение разности N_д(x) - N_a(x)в р - п-П.

Ток через р - п-П.С включением внеш. напряжения U дрейфовые потоки перестают компенсировать диффузионные потоки и через р - п-П. течёт электрич. ток. Т. к. в глубине р-области ток переносится дырками, а в n-области - электронами, то прохождение тока через р - n-П. - в прямом направлении (U > 0) сопряжено с рекомбинацией электронов и дырок, прибывающих к р - п-П. из областей, где они являются основными носителями заряда. При U < О ток обусловлен генерацией электронно-дырочных пар в окрестности р - п-П., к-рый разделяет их движение от р - п-П. в области, где они являются основными носителями.
При термодинамич. равновесии термич. генерация носителей в каждой точке образца в точности компенсируется их рекомбинацией. Но при прохождении тока этот баланс нарушается. Существует неск. механизмов (каналов) избыточной генерации и рекомбинации, определяющих проводимость р - п-П. при прямом и обратном смещениях. а) Генерация и рекомбинация носителей в р- и n-областях и диффузия носителей к р - n-П. или от него. В единице объёма n-полупроводника в единицу времени рождается вследствие равновесной термич. генерации дырок, где р_п - равновесная концентрация дырок в п-областп а - их время жизни относительно процесса рекомбинации. Все дырки, рождённые в слое с толщиной L_р, прилегающем к р - п-П., уходят в р-область, т. к. внутр. поле р - п-П. "втягивает" туда все дырки, подошедшие к переходу в результате диффузии из п-области; L_p - длина диффузии дырок в n-области за время их жизни:Dp - коэф. диффузии дырок. Дырки, рождённые вне слоя L_p, рекомбинируют прежде, чем процесс диффузии доставит их к р - n-П., и не дают вклада в ток. Поэтому плотность тока дырок, уходящих из п-области в р-область:

Аналогично плотность тока электронов, термически рождённых в р-области и доставленных диффузионно к втягивающему их р - n-П.:

Здесь - их равновесная концентрация в р-области, D_n, L_n - коэф. диффузии, время жизни, длина диффузии в этой области
Если бы токам j_nsи j_ps не противостояли бы обратные противотоки, то через р - n-П. проходил бы ток насыщения плотностью j_s = j_ns + j_ps. Однако в отсутствие виеш. смещения токи неосновных носителей j_ns и j_ps полностью компенсируются токами основных носителей (электронов из n-области и дырок из р-области), идущими в обратную сторону и равными, следовательно, также j_ns и j_рs. Основные носители - дырки, переходящие из р-области в n-область, и электроны, идущие из n-области в р-область, преодолевают на своём пути потенциальный барьер высотой V_д и являются по своей природе термоэлектронной (термодырочной) эмиссией через этот барьер. Поэтому понижение барьера на величину U при прямом смещении приводит к увеличению каждого из этих токов в exp(eU/kT)раз (см. Термоэлектронная эмиссия)и не вызывает изменения токов неосновных носителей (для к-рых барьера нет). С учётом этого обстоятельства плотность полного тока через р - п-П. можно выразить т. н. ф-лой Шокли (рис. 3):

Рис. 3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) v - п-перехода.

При U <0 и e|U|/kT1 токами термоэмиссии основных носителей через повышенный обратным смещением барьер (высотой V_д + |U|)можно пренебречь и считать, что плотность обратного тока обусловлена только термогенерац. токами неосновных носителей: j = - j_s (рис. 4, кривая 3). При U > 0 и eU/kT1, наоборот, в ф-ле (7) можно сохранить только экспоненциальный член, описывающий термоэмиссию носителей из областей, где они являются основными, в области, где они становятся неосновными и где рекомбииируют за времена ина расстояниях L_p и L_n. Прямой ток, согласно (7), быстро растёт с ростом U. При значит. смещениях этот рост ограничивается сопротивлением р- и n-областей. Последнее уменьшается благодаря инжекции неосновных носителей р - n-П. Из сравнения ф-л (5) и (6) видно, что гл. вклад в ток насыщения обычно даёт слаболегиров. сторона р - п-П. с более низкой концентрацией основных носителей.

Рис. 4. Обратные токи р - п-перехода; 1 - тон термогенерации в квазинейтральных областях; 2 - тон термогенерации в обеднённом слое; 3 - ток туннельной генерации; 4 - полный ток в отсутствие фотогенерации; 5 - - фототок j_ф; 6 - полный ток с учётом фототока.

б) Генерация и рекомбинация в обеднённых слоях (механизм Шокли - Са-Нойса). Рекомбииационно-генерац. ток, описываемый ф-лой (7), не всегда доминирует. В широкозонных полупроводниках (с большой запрещённой зоной) при относительно низких теми-pax может преобладать термич. генерация и рекомбинация в самом обеднённом слое, а не в слоях с толщинами L_п и L_р. Хотя в таком полупроводнике, как кремний, L_n и L_p обычно сильно превосходят ширину обеднённого слоя w(U), но скорость генерации и рекомбинации там может быть существенно выше, чем в квазинейтральных областях, из-за различия в заполнении примесных уровней электронами, ответственными за рекомбинацию. В этом случае при достаточно больших обратных смещениях (eU/kT1) справедлива ф-ла

где - время жизни неравновесных носителей в обеднённом слое, отличное в общем случае от и Ток j_wможет превышать j_s за счёт того, что п_iпревышает п_р и р_п. Ток j_wне насыщается с ростом обратного смещения, а растёт по мере расширения обеднённого слоя [напр., в соответствии с ф-лами (3) и (4), рис. 4, кривая 2].

В прямом направлении ток, обусловленный рекомбинацией в обеднённом слое:

Здесь причём длина l_Е по порядку величины равна "сжатой" длине диффузии носителей против внутр. поля Е_вн: l ~ kT/eE. Коэф. 2 в знаменателе показателя экспоненты связан с тем, что носители, рекомбинирующие внутри обеднённого слоя, преодолевают не весь барьер, обусловленный полем в нём, а только его часть, высота к-рой с приложением внеш. напряжения U уменьшается на U/2. Из-за этого с ростом U ток по ф-ле (9) растёт медленнее, чем ток по ф-ле (7), и даёт ему обогнать себя при достаточно больших смещениях.
в) Межзонное (зинеровское) туннелированне. Ток электронов через запрещённую зону полупроводника отсутствует только при классич. описании движения электронов проводимости и дырок в электрич. поле. Оно становится недостаточным с ростом напряжённости поля. Из-за туннелирования электронов сквозь запрещённую зону (эффект Зинера) тормозящийся в электрич. поле электрон проводимости, отразившись от дна зоны проводимости имеет вероятность (тем большую, чем круче наклонены зоны) перейти в валентную зону (рис. 5, а). При одинаковых эффективных массах электрона и дырки вероятность туннелирования в однородном электрич. поле близка к вероятности туннелирования сквозь треугольный барьер, высота к-рого равна ширине запрещённой зоны а толщина тем меньше, чем больше напряжённость поля Е.
Для реализации туннельного перехода необходимо наличие в валентной зоне дырок. Поэтому туннельный переход является туннельной рекомбинацией электрона из зоны проводимости с дыркой из валентной зоны. Такой рекомбинац. процесс не связан ни с передачей энергии колебаниям решётки (т. е. с её нагревом), ни с излучением света: энергия передаётся источнику электрич. поля. Обратный процесс - рождение электронно-дырочной пары за счёт энергии электрич. поля (туннельная или зинеровская генерация) - в условиях термодинамич. равновесия уравновешивает рекомбинацию. Оба эти процесса в р - п-П. при U = 0 имеют место лишь в случае, когда электронный газ в n-области и дырочный газ в р-области вырождены (рис. 5,б). Прямое смещение ведёт к преобладанию туннельной рекомбинации, а обратное смещение - к туннельной генерации. Туннельная составляющая тока такого перехода доминирует над прочими только тогда, когда он предельно резкий. Резкий р - п - П. с вырожденным газом носителей по обе стороны лежит в основе туннельного диода, имеющего на прямой ветви вдоль вольт-амперной характеристики падающий участок N-типа (ВАХ, рис. 5, в).
В случае невырожденных п- и р-областей туннельный ток может преобладать только при достаточно больших обратных смещениях и связан только с туннельной генерацией электронно-дырочных пар. Ввиду экспоненциальной зависимости туннельного тока от напряжённости электрич. поля вклад в него даёт лишь окрестность точки макс. поля. По мере роста обратного напряжения туннельный ток, незаметный на фоне термогенерационного при низких напряжениях, стремительно нарастает и становится преобладающим (рис. 4, кривая 3).
В широкозонных полупроводниках наряду с термогенерационными и туннельными токами наблюдают их различные комбинации. С одной стороны, имеет место сочетание туннельных (горизонтальных) переходов между зонами и уровнями локальных примесных центров с термогенерационными (вертикальными) переходами (рис. 5, г). С др. стороны, возможно туннелирова-ние с поглощением неск. фононов (рис. 5, д).

Рис. 5. Туннельные явления в р - n-переходе; а - межзонное туннелированис; б - зонная диаграмма туннельного диода; в - прямая ветвь ВАХ туннельного диода (1 - полная плотность тока, 2 - нетуннельная составляющая); г - комбинация термического (1)и туннельного (2)переходов с участием примесного уровня; д - возможные варианты генерации: 1 - термическая (многофононная); 2 - туннельная (бесфононная); 3 - туннелирование с поглощением фононов.

г) Ударная ионизация. Электроны проводимости с энергией, превышающей её порог, могут порождать электронно-дырочные пары, истратив на это почти всю свою энергию в зоне. Такую же возможность имеют и дырки с надпороговой энергией. Пороги ударной ионизации для электрона и дырки различны (однако во мн. случаях они слегка превышают).. Рождение электронно-дырочной пары носителями, ускоренными до необходимых энергий в электрич. поле обратно смещённого перехода, ответственно за лавинное размножение носителей в р - n-П. и за его лавинный пробой.
Обычно процессы ударной ионизации описывают с помощью коэф. и определяемых как ср. числа электронно-дырочных пар, генерируемых одним электроном и одной дыркой на единичном пути их дрейфа в электрич. поле Е. Вшироких обеднённых слоях(х) - локальные ф-ции электрич. поля в точке х:

Здесь т = 1, 2; коэф. b_n,_р не зависят от Е, а С_п,рзависят слабо. Из-за сильной зависимости от Е в ударную ионизацию, как и в туннельную генерацию, вносит вклад только близкая окрестность точки макс. электрич. поля в обеднённом слое.
Из-за ударной ионизации обратный ток р - п-П., обусловленный термической или туннельной генерацией, а также фото генерацией или инжекцией носителей надлежит умножить на коэф. M(U): J₁(U) = j(U) M(U). При = = (приближённо имеющем место во мн. полупроводниках при больших значениях |Е|)величина M(U)перестаёт зависеть от места, где произошла первичная генерация, и равна

(направление оси х выбрано из р-области в п-область).

Это определяет напряжение U_пр лавинного пробоя р - n-П.: стационарный режим с обратным напряжением на р - n-П. U > U_пр невозможен. Для лавинного пробоя важна ударная ионизация обоими типами носителей. Если в размножении участвуют, напр., одни только электроны, то напряжение U_пр оо(бесклнечность).
Лавинный пробой, как правило, имеет микроплазменный характер: ток течёт не по всей площади р - n-П., а локализован в отд. точках (микроплазмах), выявляемых по яркому свечению. С ростом тока пробоя число микроплазм растёт вплоть до однородного покрытия ими всей площади.
Если хотя бы одна сторона р - n-П. легирована слабо или же р - n-П. имеет плавную структуру, лавинный пробой наступает при напряжении, недостаточном для проявления заметной туннельной генерации. В резких переходах с сильным легированием обеих сторон туннельная генерация начинает доминировать до наступления лавинного пробоя, так что ему предшествует на обратной ветви ВАХ участок быстрого туннельного нарастания тока (рис. 4).
д) Фотогеперация, сторонняя инжекция. Током р - n-П. можно управлять с помощью фотогенерации неравновесных носителей в его окрестности. Ток j_ф, обусловленный фотогенерацией (фототок), в отсутствие лавинного размножения аддитивно складывается с др. составляющими тока, а при наличии лавинного размножения - с составляющими первичного тока. При наличии фототока (кривая 5, рис. 4) ВАХ не проходит через точку j = 0, U = 0, возникает участок, на к-ром знак j не совпадает со знаком U (кривая 6, рис. 4). В этом режиме р - n-П. выступает в качестве фотоэлемента ,преобразующего энергию излучения в электрич. энергию (см. также Солнечная батарея ).Кроме режима фотоэлемента используется режим фотодиода, отвечающий обратной ветвп ВАХ.
Др. способ управления током р - n-П. - инжекция неосновных носителей в одну из образующих переход областей полупроводника с помощью др. р - п-П. или иного инжектирующего контакта. Этот способ управления током р - п-П. - коллектора путём ин-жекции р - п-П. - эмиттером лежит в основе работы транзисторов .Ток р - n-П. можно также изменять разогревом носителей эл--магн. излучением СВЧ-или ИК-диапазона.

Способы получения р - n-П. Сплавные переходы получают, нанося на полупроводниковую кристаллич. подложку "навеску" легкоплавкого металлич. сплава, в состав к-рого входит необходимое легирующее вещество. При нагреве образуется область жидкого расплава, состав к-рого определяется совместным плавлением навески и подложки. При остывании формируется рекристаллизац. область полупроводника, обогащённая легирующими атомами. Если тип легирования этой области отличен от типа легирования подложки, то образуется резкий р - n-П., причём его металлургич. граница х₀совпадает с границей рекристаллизац. области. В сплавных переходах на этой поверхности разность изменяется скачком (резкий р - n-переход).
При вытягивании из расплава формирование перехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путём дозированного изменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходы получают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкой и твёрдой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей.
Эпитаксиальные переходы получают методом эпитак-сиального выращивания или наращивания, в т. ч. методом молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющим пространственно наиболее тонко (с разрешающей способностью до 1 нм) регулировать закон изменения N_Д(x) - N_a(x). Часто применяются комбиниров. способы: после вплавления, имплантации или эпитаксиального выращивания производится диффузионная доводка структуры.
При получении р - n-П. регулируется не только легирование р- и n-областей, но и структура всего переходного слоя; в частности, получается необходимый градиент а = d(N_Д - N_a)/dx в точке металлургич. перехода х = х₀. В большинстве случаев применяются асимметричные р⁺ - п- или п⁺ - р -П., в к-рых легирование одной из областей (+) намного сильнее другой.
Применения, р - n-П. обладает нелинейной ВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных (полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слоя с изменением напряжения U он имеет управляемую нелинейную ёмкость (см. Варикап ).Включённый в прямом направлении, он инжектирует носители из одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять током др. р - n-П. , рекомбинировать с излучением света, превращая р - n-П. в электролюминесцентный источник излучения (см. Светоизлцчающий диод), инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключениях напряжения на р - n-П. Ток р - n-П. управляется светом или др. ионизирующими излучениями (см. Полупроводниковый детектор).
Свойства р - n-П. обусловливают их применение в разл. приборах: выпрямительные, детекторные, смесительные диоды (см. Диоды твердотельные; )биполярные и униполярные транзисторы; туннельные диоды; лавинно-пролётные диоды (СВЧ-генераторы); фотодиоды, лавинные фотодиоды, фототранзисторы; тиристоры, фототиристоры; фотоэлементы, солнечные батареи; светодиоды, инжекц. лазеры; детекторы частиц и др. р - n-П. вытесняются Шоттки барьерами ,изотипными гетеропереходами, планарно-легированными барьерами.

Лит.: Смит Р., Полупроводники, пер. с англ., 2 изд., М., 1982; 3 и С. М., Физика полупроводниковых приборов, кн. 1 - 2, пер. с англ., М., 1984; Бонч - Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977.

3. С. Грибников.