подвижность носителейзаряда

ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙЗАРЯДА в электронных Проводниках - отношение скорости направленного движения носителей заряда - электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости v_др), вызванного электрич. полем, к напряжённости Е этого поля:

Дрейфовая скорость и, следовательно, П. н. з. ограничиваются процессами их рассеяния, к-рое происходит на дефектах кристаллич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых колебаниях кристаллической решётки (испуская или поглощая фонон ,электрон изменяет свой квазиимпульс, а следовательно и скорость v_др). Поэтому П. н. з. зависит от темп-ры Т. С понижением Т доминирующим становится рассеяние на заряж. дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшением энергии носителей.
Ср. дрейфовая скорость где т - эффективная масса носителей, е - их заряд, - время релаксации импульса (транспортное время). Отсюда:

Проводимость кристалла связана с П. н. з. соотношением

где п - концентрация носителей. Понятие П. н. з. играет важную роль при описании свойств полупроводников или др. проводников, в к-рых n зависит от Т, т. к. позволяет разделить вклады в температурной зависимости возникающие из изменения п с темп-рой, и температурной зависимости вероятности рассеяния носителей заряда.
П. н. з. при Т - 300 К варьируется в пределах от 10⁵ до 10^-3 см²/В х с. В слабом электрнч. поле подвижность > 0 как для электронов, так и для дырок, хотя направления их дрейфа противоположны. У разных типов носителей в одном и том веществе различны, а в анизотропных кристаллах зависит от направления поля Е относительно кристаллографич. осей. В сильных электрич. полях ср. энергия электронов превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом и, следовательно, также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны).

Лит.: Блатт Ф. - Дж., Теория подвижности электронов в твердых телах, пер. с англ., М. - Л., 1963; Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, М., 1984.

   <<      Предметный указатель      >>