Технология производства экранов AMOLEDТехнология производства устройств отображения на жидких кристаллах или TFT уже очень долго и успешно применяется и находится на пике своей популярности. Но уже сейчас появилась, успешно разрабатывается и даже применяется AMOLED технология производства устройств отображения информации. И, возможно, что уже в самом скором будущем она вытеснит все свои жидкокристаллические аналоги. Далее... |
полярон
ПОЛЯРОН - носитель заряда (для определённости
- электрон), окружённый (одетый) "шубой" виртуальных фононов, способный перемещаться вместе с ней по кристаллу. Электрон-фононное взаимодействие
приводит наряду с обычным рассеянием электрона на фононах (см. Рассеяние
носителей заряда)также к изменению энер-гетич. спектра электронов (поляронный
эффект). Понятие "П." введено С. И. Пекаром (1946), к-рый предложил
первую модель П., основанную на взаимодействии электрона проводимости с длинноволновыми
продольными оптич. фононами в ионных кристаллах [1]. Механизм этого взаимодействия
электростатический. Продольные оптич. колебания ионной решётки (см. Колебания
кристаллической решётки)сопровождаются волной электрич. поляризации,
и создаваемое ею электрич. поле действует на электрон. Впоследствии термин "П."
приобрёл более широкий смысл и применяется к электрону, взаимодействующему с
любыми фононами, а также с. магнонами и др. квазичастицами.
Рис. 2. Магнетофононный резонанс в энергетическом
спектре полярона. Кривые 1 и 1' - циклотронная частота wс
в функции магнитного поля Н;
2 - затухание Г состояния 1' за
счёт испускания оптического фонона.
Поляризац. электрон-фононное взаимодействие-электрона
с оптич. фононами описывается гамильтонианом
где-
операторы уничтожения и рождения фонона
с волновым вектором q, r - пространств. координата электрона. Коэф.
наз. фрёлиховской константой связи, равен [2]:
Здесь т - эффективная масса электрона, - частота продольных оптич. ДВ-фононов (при q = 0), - статич. диэлектрическая проницаемость ,-диэлектрич. ВЧ-проницаемость (электронный вклад).
В зависимости от величиныразличают
случаи слабой
промежуточной
и сильной
электрон-фононных связей.
Полярон сильной связи. При
поляризация решётки является статической,
она создаёт потенциал, захватывающий электрон на локальный уровень, а электрон
своим электрич. полем поддерживает поляризацию, т.е. возникающее состояние является
самосогласованным. Ур-ние Шрёдингера для П. имеет вид [1-3]:
где-
энергия электрона в поле решётки.
Поляризация решётки выражается через =где
- электростатич.
индукция, создаваемая электрич. зарядом
с плотностью
Энергия электрона в поле решётки <
0, а полная энергия П., включающая энергию поляризации решётки, равна
Ур-ние (3) описывает автолокали-зов. состояние электрона с радиусом локализации
(см. Автолокализация).
Ур-ние (3) справедливо, еслизначительно
больше постоянной решётки (П. большого радиуса). Энергия
и условие применимости адиабатич. приближения,
когда электрон движется в поле неподвижной решётки,
При этом применима теория сильной связи, в к-рой параметром разложения является
Из-за взаимодействия фононов с автолокализов.
электроном вблизи П. изменяется фононный спектр, т. е. образуются локальные
фононные моды с частотами
Их возбуждение соответствует образованию связанных состояний П. с фононами [4].
Три частоты фононов обращаются в нуль, что означает возникновение 3 трансляционных
степеней свободы П. Энергия П.
его эфф. масса
Быстрый рост с
увеличением
объясняется тем, что движение П. сопровождается перемещением его поляризац.
"шубы". Ур-ние (3) кроме осн. состояния П. описывает также возбуждённое
автолокализов. состояния. Оптпч. переходы между ними являются причиной поглощения
света на частотах
Полярон слабой связи. При
свойства П. описываются с помощью теории
возмущений, что приводит к ф-лам
Ф-лы для энергии (4), (6) "сшиваются"
при 5
(рис. 1). При промежуточной связи теория основывается
на вариац. методах [5].
Подвижность П.
при 1 определяется
их однофононным рассеянием:
При1 рассеяние
П. становится двухфононным и при низких темп-рах
При1
поляронный эффект проявляется в т. н. маг-нетофононном резонансе [6]. Причина
явления - резонансное усиление влияния электрон-фононного взаимодействия на
энергетич. спектр П. в магн. поле H при циклотронной частоте электрона
Вблизи электронный
спектр расщепляется на 2 ветви (рис. 2);
величина расщепленияНижняя
ветвь (1) является стационарной - "затухание" Г = 0. Состояния,
соответствующие верх. ветви
являются затухающими (распадными), для них Г
при и быстро
убывает с ростом
Вблизиизменяется
волновая ф-ция П.: вдали от резонанса число
виртуальных фононов в "шубе" электронаа
в резонансе N1/2.
Магнетофононный резонанс наблюдается по
расщеплению линий циклотронного резонанса и комбинированного резонанса, а также по межзонному поглощению света
в магн. поле. Он позволяет измерить
Др. проявление полярон-ного эффекта - плавная зависимостьi,
определяемая из циклотронного резонанса:
С ростом H масса П. растёт
тем быстрее, чем больше
Кристалл |
|
|
InSb |
0,02 |
0,01 |
GaAs |
0,06 |
0,07 |
CdTe |
0,4 |
0, 1 |
CdS |
0,6 |
0,2 |
AgBr |
1,5 |
0,3 |
AgCl |
1,8 |
0,4 |
KBr |
3,7 |
0,5 |
RbCl |
4,1 |
1,0 |
Величинапри
и- масса электрона
в вакууме) велика:
10эВ - энергия
электрона в атоме). Но т. к. в кристаллах чаете
то 1 либо
1. Поэтому П. слабой связи возникают во мн. веществах (табл.).
Полярон малого радиуса. Еслии
связь сильна, то П. сосредоточен на 1-2
узлах кристаллич. решётки (П. малого радиуса). Такой П. (дырочный или электронный)
взаимодействует преим. с КВ-фононами (акустическими и оптическими). Его энергия
где - ширина
разрешённой электронной зоны в кристалле с недеформиров. решёткой. Спектр П.
имеет зонную структуру. Ширина поляронной зоны =
=ехр(-),
где1, т. е.
она крайне узка, а
столь же велика.
В совершенном кристалле при низких темп-pax p
о-ляронная провод и мост ь (носители заряда- П.) является зонной, но примеси
и дефекты легко разрушают поляронную зону. С ростом Т она быстро сужается,
т. к. и зонный
механизм проводимости сменяется прыжковым
(см. Прыжковая проводимость ).В классич. области ко-эф. диффузии П. Dехр(-),
где-энергия
активации. Дырочные П. в щёлочно-галоидных кристаллах и отвердевших благородных
газах являются молекулярными ионами типа[6].
Неполяризационное электрон-фононное взаимодействие.
В трёхмерном случае электрон, взаимодействующий с акустич. фононами, либо не
автолокализуется, либо образует П. малого радиуса (это энергетич. состояние
отделено от зонного состояния электрона автолокали-зац. барьером). Напротив,
в одномерной системе возможно существование П. большого радиуса, причём он образуется
из зонного состояния электрона "безбарьер-но" [7]. Ур-ние Шрёдингера
в этом случае имеет точное решение (см. Шрёдингера
уравнение нелинейное). В случае взаимодействия с оптич. фононами
и =
где
1 - константа связи. Ф-лы, аналогичные (4) и (5), имеют вид:
Константа
выбрана так, что при слабой связи
как и в (6). Переход к сильной связи происходит при
1, 5 , т. е. раньше, чем для трёхмерного П.
Наиб. изучены проводящие полимеры типа полиацетилена
с сопряжёнными
связями (см. Квазиодномерные соединения). В нек-рых из них осн. диэлектрич.
состояние системы возникает вследствие Пайерлса перехода ,создающего
чередующуюся последовательность одинарных и двойных связей, а в других равноценность
связей нарушается также и периодич.
потенциалом окружения. П. возникает за счёт того
же взаимодействия с акустич. фононами, к-рое ответственно за пайерлсовский переход.
Поэтому энергия связи П. велика, сравнима с шириной запрещённой зоны (пайерл-совская
щель 1 эВ).
Радиус состояния велик - порядка 10 межатомных
расстояний, поэтому применимо континуальное описание, типичное
Образуются также биполяроны (2 электрона в общей де-формац. яме). Из-за
пайерлсовской природы осн. состояния П. описываются двухкомпонентным аналогом
ур-ния (7) и тесно связаны с топологич. солитонами, существующими в этих материалах.
Наличие этих 3 типов носителей заряда (П., биполярон, солитон ),возможность
их взаимных превращений и зависимость их относит. устойчивости от природы осн.
состояния специфичны для квазиодномерных систем с большой пайерлсовской деформацией
и обусловливают их электронные свойства [8].
Поляроны др. типов. В магнитоупорядоченных кристаллах
П. возникают вследствие взаимодействия носителей заряда с магнонами .Напр.,
в антиферромагн. кристаллах вокруг электрона может возникать область ферромагн.
упорядочения. Магн. П. существенно влияют на свойства полумагнитных полупроводников типа Близки
к П. флуктуоны - области с изменённым параметром порядка, возникающие вокруг
носителей заряда. Аналогичны поляронные эффекты, связанные с экситонами.
Лит.: 1) Пекар С. И., Локальные квантовые
состояния электрона в идеальном ионном кристалле, "ЖЭТФ", 1946,
т. 16, с. 341; 2) Киттель Ч., Квантовая теория твердых тел, пер. с англ., М.,
1967; 3) Аппель Д ж., Fирсов IО. А., Поляроны, М., 1975;
4) Левинсон И. Б., Pашба 3. И., Пороговые явления и связанные состояния
в поляронной проблеме, "УФН", 1973, т. 111, в. 4, с. 683; 5) Fейнман
Р., Статистическая механика, пер. с англ., М., 1978, гл. 8; 6) Алу-кеr
Э. Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А., Электронные возбуждения и радиолюминесценция
щелочно-галоидных кристаллов, Рига, 1979; 7) Pашба Э. И., Автолокализация
экситонов, в кн.: Экситоны, М., 1985, гл. 13; 8) Нееgеr A. J. и др., Solitons
in conducting polymers, "Rev. Mod. Phys.", 1988, v. 60, p. 781.
Э. И. Рашба.