Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
НАНОЧАСТИЦЫ ПРИХОДЯТ НА ПОМОЩЬ
Ученых волнует вопрос, насколько надежно защищены космонавты от больших доз радиации (ведь они лишаются естественного защитного «зонтика» – магнитного поля Земли). Особенно актуальна эта проблема в случае возможных пилотируемых полетов на Луну или Марс. Даже специально разработанные материалы не смогут полностью обезопасить от космической радиации. Далее...

пьезооптический эффект

ПЬЕЗООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ (фотоупругость, эластооптический эффект) - возникновение оптич. анизотропии в первоначально изотропных твёрдых телах (в т. ч. полимерах) под действием механич. напряжений. П. э. открыт Т. И. Зеебеком (Т. J. Seebeck) в 1813 и Д. Брюстером (D. Brewster) в 1816. П. э.- следствие зависимости диэлектрич. проницаемости от деформации; проявляется в виде двойного лучепреломления и дихроизма ,возникающих под действием механич. нагрузок. При одноосном растяжении или сжатии прозрачное изотропное тело приобретает свойства оптически одноосного кристалла с оптич. осью, параллельной оси растяжения или сжатия. При более сложных деформациях, напр. при двустороннем растяжении, образец становится оптически двуосным.

П. э. обусловлен деформацией электронных оболочек атомов и молекул н ориентацией оптически анизотропных молекул либо их частей, а в полимерах - раскручиванием и ориентацией полимерных цепей. Для малых одноосных растяжений и сжатий выполняется соотношение Брюстера Dn = КР, где Dn - величина двойного лучепреломления (разность показателей преломления для обыкновенной и необыкновенной волн), P - напряжение, К - упругооптич. постоянная (постоянная Брюстера). Для стёкол К = = 10-13 - 10-12 см2/дин (10-12 - 10-11 м2/Н).

П. э. используется при исследовании напряжений в механич. моделях (см. Поляризационно-оптический метод исследования).

Лит.: Ландсберг Г. С., Оптика, 5 изд., М., 1976; Fрохт М. М., Фотоупругость, пер. с англ., т. 1-2, М.- Л., 1948-50; Бир Г. Л., Пикус Г. Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М., 1972; Физическая акустика, под ред. У. Мэзона, Р. Терстона, пер. с англ., т. 7, М., 1974, гл. 5. Э. М. Эпштейн.

Пьезоэлектрические коэффициенты и полупроводниковые характеристики некоторых полупроводников

Кристалл

Группа симметрии

eg, эВ

eji, Кл/м2

е14, Кл/м2

е15, Кл/м2

е31, Кл/м2

е33, Кл/м2

e/e0**

KL*,%

KS*,%

Те

32

0,38

0,5

0,72

0

0

0

e1=33; e3=53

35

53

GaAs

43 m

1,43

0

- 0,16

0

0

0

12

2

7

GaP

- " -

2,3

0

-0,1

0

0

0

8,5

-

11

InSb

- " -

0,18

0

0,08

0

0

0

16

3

4

b-ZnS

- " -

3,8

0

0,14

0

9

0

8,3

-

5, 4

a-ZnS

6 mm

3,6

0

0

0,07

-

0,14

-

6

4

ZnO

- " -

3,4

0

0

- 0,59

- 0,61

1,14

e1=8,3; e3=8,8

28

32

CdS

- " -

2,4

0

0

- 0,21

-0,24

0,44

e1=9,0; e3=9,5

15

19

6H- SiC

- " -

3,0

0

0

0,08

-

0,2

e1=9,7; e3=10

2,8

2

Bi12GeO20

23

3,2

0

0,99

0

0

0

38

19

50

* KL, KS - коаф. эл--механич. связи для продольных и поперечных упругих волн, распространяющихся в кристалле;

** e0=8,85·10-12 Ф/м; две величины указывают на анизотропию.


  Предметный указатель