НЕ ВРЕМЯ ДЛЯ КУПАНИЯ«Мы смогли послать человека на Луну, но не в состоянии обеспечить космонавтам на Международной космической станции (МКС) возможность освежиться на протяжении их шестимесячного полета» Далее... |
пьезополупроводники
ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКИ - пьезоэлектрические
материалы, обладающие полупроводниковыми свойствами. К П. относятся полупроводники,
деформирование к-рых сопровождается возникновением электрич. поля (электрич.
поляризации), пропорционального величине деформации (прямой пьезоэлектрич. эффект).
Под действием электрич. поля в П. возникают внутр. механич. напряжения, пропорциональные
электрич. полю E (обратный пьезоэлектрич. эффект) (см. Пьезо-электрики).
П. являются представители разл. групп полупроводниковых
материалов. К ним относятся элементарные полупроводники (Те, Se), соединения
группы AIIIBV (GaAs, GaP, InSb и др.), группы AII
BVI (GdS, ZnO, ZnS и др.). Пьезоэлектрич. свойствами обладают SiC,
соединения группы AIVBVI(GeTe, SnTe и др.), к-рые одноврем.
характеризуются и сегнетоэлектрич. свойствами (см. Сегнетополупроводники). К П. могут быть отнесены также высокоомные пьезоэлектрич. материалы с примесной
проводимостью, напр. группа германосилленита (Вi12GеО20).
Кристаллы этой группы обладают собств. фотопроводимостью ,могут быть
легированы разл. примесями; их примесная проводимость s ~ 10-8
- 10-7 Ом-1·см-1.
В табл. для нек-рых П. приведены пьезоэлектрич.
коэф. (пьезомодули)
ширина запрещённой зоны
и диэлектрич. проницаемость e. Важной характеристикой П. является коэф.
эл--механич. связи К. Величина K2 показывает, какая
доля энергии упругой деформации (злектрич. энергии) может превратиться в электрич.
энергию (энергию упругой деформации) за счёт пьезоэлектрич. взаимодействия.
Коэф. эл--механич. связи зависят от направления электрич. поля, от возбуждаемой
упругой моды и сильно меняются от кристалла к кристаллу.
Распространение акустич. волн в П. сопровождается
возникновением электрич. полей, с к-рыми могут взаимодействовать свободные носители
заряда. Это имеет место как для тепловых фононов, так и для когерентных УЗ-волн,
вводимых в кристалл извне. В последнем случае наблюдаются эффекты, обусловленные
акустоэлектронным взаимодействием. К наиб. важным из них относятся акустоэлектрический
эффект и усиление УЗ-волн дрейфом свободных носителей заряда. Акустоэлектрич.
эффект представляет собой возникновение пост. электрич. тока или эдс в П. при
распространении в нём бегущей УЗ-волны. Этот эффект связан с пространств. группировкой
свободных электронов (дырок) в электрич. полях УЗ-волны, с увлечением их волной
и с передачей импульса от волны к электронам (см. Увлечение электронов фононами). Плотность акустоэлектрич. тока
где
- коэф. электронного поглощения, m - подвижность электронов, I -
интенсивность УЗ-волны; us - скорость звука. В разомкнутой
цепи возникает акустоэдс U=j/s (s - электропроводность П.).
В П.
с большой константой эл--механич. связи акустоэдс
при I ~ 1 Вт/см2 может достигать неск. единиц В/см. Если к
П. приложено пост. электрич. поле Е, в к-ром скорость дрейфа электронов
то происходит
усиление УЗ-волны. Коэф. усиления пропорционален K2 и зависит
от соотношения частоты УЗ, т. н. максвелловской частотыи
диффузионной частоты,
где D - коэф. диффузии. В области
частот w/2p = 100-500 МГц коэф. усиления может достигать 100 дБ/см.
Высокоомные П. применяются в качестве пьезоэлектрических
преобразователей для генерации и приёма УЗ, в ультразвуковой дефектоскопии, в акустических линиях задержки, акустооптич. устройствах (см. Акустооптика). Использование акустоэлектронного взаимодействия в П. позволяет создавать
усилители УЗ-волн, фазовращатели и преобразователи частоты, устройства аналоговой
обработки радиосигналов (ф-ции свёртки, корреляции и др.).
Лит.: Гуревич В. Л., Теория акустических
свойств пьезоэлектрических полупроводников, "ФТП", 1968, т. 2, в.
И, с. 1557; Пустовойт В. И., Взаимодействие электронных потоков с упругими волнами
решетки, "УФН", 1969, т. 97, в. 2, с. 257; Такер Дж., Рэмптон В.,
Гиперзвук в физике твердого тела, пер. с англ., М., 1975; Гальперин Ю. М., Гуревич
В. Л., Акустоэлектроника полупроводников и металлов, М., 1978.
В. В. Леманов,