РОЖДЕНИЕ ПЛАНЕТНовые снимки пылевых дисков дают более ясное представление о том, как развиваются миры вокруг звезд, похожих на наше Солнце. Космический телескоп «Хаббл» сфотографировал освещенные звездой осколки астероидов и комет, обращающиеся вокруг желтого карлика HD 107146. Далее... |
релятивистская электроника
РЕЛЯТИВИСТСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА - раздел высокочастотной
электроники, посвящённый использованию релятивистских электронных пучков (РЭП)
и (или) релятивистских эффектов для усиления, генерирования и преобразования
эл--магн. колебаний p волн. Релятивистские эффекты проявляются, как правило,
при скоростях электронов v, соизмеримых со скоростью света с
(и~с), когда энергия электронов
существенно отличается от их энергии покоя
= m0с2 = 0,511 МэВ, т. с. при
где U - ускоряющий потенциал; однако
роль этих эффектов может быть определяющей и в устройствах со слаборелятивистскимиэлектронными
пучками (напр., в мизерах на циклотронном резонансе - МЦР). Поскольку
повышение ускоряющего потенциала является наиб. действенным способом увеличения
мощности электронных пучков [макс. ток в вакуумном канале возрастает в нерелятивистском
случае по закону "трёх вторых":
а в ультрарелятивистском
- пропорц. ускоряющему потенциалу Iмакс = = BU], то
Р. э. представляет собой прежде всего область электроники больших мощностей.
Вместе с тем ряд релятивистских эффектов позволяет получать когерентное эл--магн.
излучение с очень высокими частотами, недоступными для обычной нерелятивистской
вакуумной электроники [см. Лазеры на свободных электронах (ЛСЭ)].
В Р. э. используются те же синхронизмы между
электронами и эл--магн. волнами (или, в общем случае, между спектральными компонентами
ВЧ-полей), т. е. те же типы индуциров. излучения электронов, что и в нерелятивистской
классической электронике (табл.); однако особенности релятивистской кинематики
в динамики релятивистского электрона приводят к радикальным различиям между
законами, определяющими работу релятивистских и соответствующих нерелятивистских
приборов, а также создают возможности реализации высокоэфф. приборов, не имеющих
близких нерелятивистских аналогов. К числу важнейших эффектов, используемых
Р. э., можно отнести следующие.
1. Поскольку при
зависимость скорости электронов от их энергии
становится всё более слабой:
то в системах с прямолинейными н слабоискривлённы-ми
электронными пучками [напр., в генераторах, основанных на индуцированных Черепкова - Вавилова излучении и переходном излучении, - лампе бегущей
волны (ЛБВ), лампе обратной волны (ЛОВ), твистроне, оротроне] группировка
пучка электронов, модулированного ВЧ-полем, происходит на всё больших пространственных
масштабах. В результате оптим. длина пространства взаимодействия L растёт
пропорц. квадрату энергии электронов:а
продольную составляющую электрич. поля синхронной волны нужно
ВЧ-приборы с релятивистскими электронными
пучками |
||
Тип индуцированного излучения |
Синхронизмы |
Тип генератора (усилителя) |
Черепкова - Вавилова |
|
ЛБВ ЛОВ Оротрон Магнетрон |
Переходное |
|
Клистрон Монотрон Твистрон |
Тормозное |
|
Гиротрон МЦАР Убитрон (ЛСЭ) |
Рассеяние воли (параметрическое) |
|
Скаттрон |
Примечание: w и-частота
волны и продольное волновое число, wH - циклотронная
частота, wt и ki - частота волны и
продольное волновое число накачки. уменьшать,
как (тогда
как в слаборелятивистском случае обе эти
величины пропорц. корню из величины энергии электронов). Такой закон подобия
благоприятствует созданию мощных релятивистских электронных ВЧ-генераторов с
высокоселективными пространственно-развитыми эл--динамич. системами.
2. При тормозном излучении электронов
с ростом их энергии максимум спектральной интенсивности смещается в область
частот, существенно превосходящих частоты, представленные в неравномерном (напр.,
ос-цилляторном) движении частиц. Так, электрон, вращающийся с частотой W,
излучает преим. на частотах
(синхротронный эффект), а электрон, совершающий малые колебания с частотой W
и обладающий релятивистской поступат. скоростью
излучает в направлении своего поступат. движения на частотах
(релятивистский Доплера эффект).
Аналогично этому при рассеянии волны на электроне,
движущемся навстречу ей с релятивистской скоростью, частота рассеянного излучения
в раз превышает
частоту падающей волны (релятивистский Комптона
эффект). Указанные эффекты открывают возможность для продвижения соответствующих
ВЧ-генераторов - убитрона, мазера на циклотронном авторезонансе (МЦАР), скаттрона
- в особо коротковолновые диапазоны.
3. Поскольку поперечная масса электронов в g2
раз меньше продольной, то в отсутствие статич. поля, к-рое ограничивало
бы их поперечное движение, группировка электронного пучка под действием ВЧ-мо-дуляции
развивается в поперечном направлении гораздо быстрее, чем в продольном. Этот
эффект используется в секциониров. приборах с поперечным отклонением электронов
- гироконе и оптич. клистроне.
4. В потоке электронов, вращающихся в однородном
магн. поле Н0, эл--магн. волна вызывает инерционную
группировку двух типов: а) продольную (относительно Н0),
обусловленную неоднородностью ВЧ-поля; б) орбитальную, обусловленную релятивистской
зависимостью циклотронной частоты от энергии электронов. На этих эффектах основано
действие МЦР, среди к-рых с точки зрения получения больших мощностей в диапазоне
миллиметровых и субмиллиметровых волн наиб. перспективны при слабо- и умеренно-релятивистских
энергиях электронов гиротроны (как генераторы, так и усилители), при
ультра релятивистских - МЦАР.
Согласно теории, кпд электронных ВЧ-генераторов
и усилителей сохраняется в принципе на уровне ~ 10% при любых, сколь угодно
больших энергиях электронов.
Для практич. реализации мощных релятивистских
электронных ВЧ-приборов необходимы прежде всего источники интенсивных РЭП с
достаточно малой дисперсией параметров, а также эл--динамич. системы с достаточными
селективностью и электропрочностью. РЭП, появившиеся еще в 1930-х гг. благодаря
изобретению ускорителей, из-за ограниченности тока для генерации когерентного
(коллективного) излучения были непригодны. Традиционная ВЧ-электроника освоила
режимы с U100
кВ, при к-рых релятивистские эффекты начинают заметно влиять на динамику электронов,
в 1950-х гг.; теперь импульсная мощность усилит. клистронов и гирокоиов в диапазоне
метровых и дециметровых волн достигает десятков МВт. С кон. 1950-х гг. в ВЧ-электронике
начали использоваться и принципиально релятивистские эффекты. Первыми генераторами
такого рода были МЦР (гиротроны); ныне непрерывная мощность гиротронов составляет
величину ~ 300 кВт при l ~1 см и превышает 1 кВт при l ~ 1мм, мощность
в импульсах длительностью 10-4-10-1 с составляет величину
~100 кВт при l ~ 0,7 мм и превышает 1 МВт при l
3 мм.
Возможность создания релятивистских электронных
ВЧ-генераторов повыш. мощности с импульсом длительностью 10-8-10-6
с возникла в кон. 1960-х гг. благодаря появлению сильноточных электронных ускорителей.
Для генерации используются пучки электронов с энергиями 0,5-2 МэВ и токами 1
- 100 кА. Наиб. внимание уделяется на относительно длинных (l3
мм) волнах генераторам, основанным на индуциров. черен-ковском излучении (релятивистским
магнетрону, ЛОВ, оротрону и т. п.), а на относительно коротких (l3
мм) волнах - генераторам, основанным на индуциров. тормозном излучении и рассеянии
волн (релятивистскому убитрону, МЦАР и т. п.). В этих генераторах применяются
как вакуумные, так и плазменные эл--динамич. системы. Достигнутая к настоящему
времени ВЧ-мощность при укорочении волны от 10 см до 0,5 мм монотонно спадает
от 10 ГВт до 1 МВт.
Мощность генераторов когерентного электромагнитного
излучения в зависимости от длины волны; -
непрерывный режим, -
импульсный режим.
В кон. 1970-х гг. появились ВЧ-генераторы, использующие
в качестве инжекторов электронов линейные ускорители с повыш. ср. мощностью
и тактовой частотой, позволяющей реализовать синхронизм между импульсами тока
и эл--магн. импульсом, последовательно отражающимся
от зеркал открытого резонатора. Такие генераторы, представляющие собой разновидность
убитронов, работающие при g ~ 102, благодаря релятивистскому
эффекту Доплера позволяют получать когерентное излучение в оптич. ("лазерном")
диапазоне и поэтому получили назв. лазеров на свободных электронах (рис.).
Приборы Р. э. находят применение в физ. эксперименте
(воздействие мощного излучения на вещество, в частности на плазму) и считаются
перспективными для техн. (в частности, радиотехн.) приложений.
L. В. Гапонов-Грехов, М. И. Петелин.