Технология производства экранов AMOLEDТехнология производства устройств отображения на жидких кристаллах или TFT уже очень долго и успешно применяется и находится на пике своей популярности. Но уже сейчас появилась, успешно разрабатывается и даже применяется AMOLED технология производства устройств отображения информации. И, возможно, что уже в самом скором будущем она вытеснит все свои жидкокристаллические аналоги. Далее... |
|
тонкая структура
ТОНКАЯ СТРУКТУРА (мультиплетное
расщепление) уровней энергии - расщепление уровней энергии (термов) атома, молекулы
или кристалла, обусловленное гл. обр. спин-орбитальным взаимодействием. Тонкое
расщепление уровней - причина возникновения T. с. спектральных линий. Мультиплетное
расщепление электронных уровней энергии молекул связано с т. н. взаимодействием
спин - ось.
Спин-орбитальное взаимодействие
играет осн. роль в атомах с одним электроном сверх заполненных оболочек, а также
атомов, расположенных в середине и в конце периодич. системы. Число подуровней,
на к-рое расщепляется уровень энергии с полным орбитальным моментом L и
полным спином S при S<=L, равно мультиплетности уровня
энергии 2S+1, а при S>L оно равно 2L+1.
Каждый подуровень (компонента
T. с.) характеризуется квантовым числом J полного момента импульса электрона:
J= L + S. Разности энергий между соседними компонентами
T. с. уровня энергии с данными L и S в большинстве случаев, когда
понятие T. с. имеет смысл, удовлетворяют правилу интервалов Ланде: 
где А-постоянная спин-орбитального взаимодействия, зависящая только от
L и S. Для высоко возбуждённых уровней 
, где
-эффективное
главное квантовое число, dl - квантовый дефект .В многоэлектронных
атомах правило интервалов Ланде иногда нарушается вследствие взаимодействия
(наложения) конфигураций, а также магн. взаимодействий между спинами электронов
и взаимодействий спина одного электрона с орбитальными моментами др. электронов
(взаимодействие спин - чужая орбита). Последние два типа взаимодействий играют
важную роль в гелиеподобных и нек-рых др. лёгких атомах и ионах.
В спектрах водородоподобных
атомов (S =1/2) сдвиг уровня энергии (с учётом зависимости массы от скорости)
равен:
где
-тонкой структуры постоянная; Z- заряд ядра; n-главное квантовое
число.
Величина тонкого расщепления
ниж. уровней у самых лёгких атомов (H, Не, Li, Be) порядка 0,1 - 1 см-1
и быстро растёт с увеличением атомного номера (заряда ядра). Напр., расщепление
осн. уровня энергии атома иода (Z =53) составляет 7603 см-1.
О T. с. уровней энергии
атома имеет смысл говорить лишь в том случае, когда достаточно хорошо выполняется
приближение LS- или jK-связи (см. Связь векторная)и тонкое
расщепление мало по сравнению с расстоянием между уровнями энергии.
Иногда термином "Т.
с." наз. пики или провалы в пределах контура спектральной линии, возникающие
по к--л. причине.
Лит. см. при статьях
Атом, Атомные спектры, Молекула.
E. А. Юков.
webmaster@femto.com.ua