Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
POTENTIAL DIFFERENCE: зарядка мобильного за 16 минут
Технология зарядки литий-ионных аккумуляторов (запатентованная еще в 2001 году) позволяет полностью зарядить мобильный девайс в среднем за 16 минут. Производство зарядных устройств нового типа начнется после того, как разработчики проверят, живучесть батарей, заряжаемых быстрым способом Далее...

быстрая зарядка мобильного

точечные дефекты

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (нульмерные дефекты) -нарушения идеальной кристаллич. решётки, ограниченные одним или неск. узлами. Т.д. являются вакансии, дивакан-с и и, межузелъные атомы, а также комплексы примесных атомов с вакансиями, дивакансиями и межузельными атомами. Т. д. могут быть собственными и примесными. Упругое поле, созданное Т. д., может быть значительным в пределах области, охватывающей несколько постоянных решётки а, а кулоновское - несколько десятков постоянных а.

По способу образования можно выделить: Т. д. ростовые, возникающие в процессе кристаллизации; Т.д. термические (возникают в результате прогрева, часто с последу-ющей закалкой); радиационные (см. Радиационные дефекты ),сопутствующие дислокациям (ш у б а д и с л о к а ц и и); примеси, к-рые вводятся в кристалл при легировании, и др.

К простым Т. д. следует отнести вакансии, межузельные атомы, т.н. пары Френкеля (вакансия + межузельный атом) и примесные атомы замещения. Первичные Т. д. образуются непосредственно при нагреве или облучении, вторичные - в результате перестройки, вызванной диффузией и последующим взаимодействием первичных дефектов между собой.

Лит.: Стоунхэм А. М., Теория дефектов в твердых телах, пер. с англ., т. 1-2, М., 1978; Винецкий В. Л., Холодарь Г. А,, Радиационная физика полупроводников, К., 1979; Точечные дефекты в твердых телах. Сб. статей, пер. с англ., М., 1979; Емцев В. В., Машовец Т. В., Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, М., 1981. Т. В. Машовец.

  Предметный указатель