POTENTIAL DIFFERENCE: зарядка мобильного за 16 минутТехнология зарядки литий-ионных аккумуляторов (запатентованная еще в 2001 году) позволяет полностью зарядить мобильный девайс в среднем за 16 минут. Производство зарядных устройств нового типа начнется после того, как разработчики проверят, живучесть батарей, заряжаемых быстрым способом Далее... |
точечные дефекты
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (нульмерные
дефекты) -нарушения идеальной кристаллич. решётки, ограниченные одним или неск.
узлами. Т.д. являются вакансии, дивакан-с и и, межузелъные атомы, а также комплексы примесных атомов с вакансиями, дивакансиями и межузельными
атомами. Т. д. могут быть собственными и примесными. Упругое поле, созданное
Т. д., может быть значительным в пределах области, охватывающей несколько постоянных
решётки а, а кулоновское - несколько десятков постоянных а.
По способу образования
можно выделить: Т. д. ростовые, возникающие в процессе кристаллизации; Т.д.
термические (возникают в результате прогрева, часто с последу-ющей закалкой);
радиационные (см. Радиационные дефекты ),сопутствующие дислокациям (ш у б а д и с л о к а ц и и); примеси, к-рые вводятся в кристалл при легировании,
и др.
К простым Т. д. следует
отнести вакансии, межузельные атомы, т.н. пары Френкеля (вакансия + межузельный
атом) и примесные атомы замещения. Первичные Т. д. образуются непосредственно
при нагреве или облучении, вторичные - в результате перестройки, вызванной диффузией
и последующим взаимодействием первичных дефектов между собой.
Лит.: Стоунхэм А.
М., Теория дефектов в твердых телах, пер. с англ., т. 1-2, М., 1978; Винецкий
В. Л., Холодарь Г. А,, Радиационная физика полупроводников, К., 1979; Точечные
дефекты в твердых телах. Сб. статей, пер. с англ., М., 1979; Емцев В. В., Машовец
Т. В., Примеси и точечные дефекты в полупроводниках, М., 1981. Т. В. Машовец.