фазон

ФАЗОН - составная квазичастица ,образуемая электроном, локализованным вблизи гетерофазной флуктуации (частный случай флуктуона ).При фазовых переходах 1-го рода зародыш фазы b, возникающий в равновесной при данной темп-ре фазе a, увеличивает термодинамич. потенциал системы. Если электрон притягивается к такой флуктуации и локализуется вблизи неё, то понижение энергии электрона может скомпенсировать увеличение термодинамич. потенциала и стабилизировать флуктуацию. В большинстве случаев радиус Ф. оказывается много больше постоянной решётки, т. е. Ф. является макроскопич. квазичастицей. Если при данных условиях радиус Ф. превосходит критич. радиус зародышей фазы b, имеет место фазовый переход . Температурная область существования Ф. вблизи точки фазового перехода тем шире, чем меньше теплота перехода.

Возникновение Ф. приводит к изменению электронных свойств кристалла в области фазового перехода. В окрестности точки фазового перехода в кристалле возникают новые локализованные электронные состояния - энерге-тич. уровни Ф. в запрещённой зоне фазы a. Эти уровни могут приводить к аномалиям в электропроводности и фотопроводимости. Они существенно влияют на кинетику процессов рекомбинации и захвата неравновесных электронов в области фазового перехода. В др. случаях Ф. можно рассматривать как невырожденный газ подвижных квазичастиц, дающий вклад в явления переноса.

Учёт возможности образования Ф. объясняет влияние электронов (в т. ч. неравновесных) на фазовый переход 1-го рода. Возникновение Ф. значительно облегчается при увеличении числа локализующихся на нём электронов. Увеличение концентрации неравновесных электронов в зоне проводимости фазы a способствует образованию зародышей критич. размера, т. е. приводит к сдвигу темп-ры фазового перехода a -> b.

Лит.: Кривоглаз М. А., Флуктуонные состояния электронов, "УФН", 1973, т. 111, в. 4, с. 617; Фридкин В. М., Фотосегнето-электрики, М., 1979. Э. М. Эпштейн.

   <<      Предметный указатель      >>