Предсказание землетрясенийС помощью сейсмографов регистрируются не только земные колебания при землетрясениях и извержениях вулканов, но и при атомных взрывах. Чтобы искусственно создать сейсмографические волны для возможного нахождения нефти в залежах пород, на определенных глубинах производятся взрывы. Далее... |
шоттки эффект
ШОТТКИ ЭФФЕКТ - рост электронного тока
насыщения из твёрдого тела (катода) под действием внешнего ускоряющего электрич.
поля вследствие уменьшения работы выхода электрона из твёрдого тела (рис.).
Распределение потенциала у поверхности металла
при отсутствии (1) и наличии
(2) внешнего ускоряющего электрического
поля; F-полная работа выхода; z - расстояние
от имитирующей поверхности.
При отсутствии электрич. поля распределение потенциала
U у поверхности металла имеет форму гиперболы (кривая 1 на рис.),
что связано с действием сил электрич. притяжения, называемых также силами зеркального
изображения, поскольку, когда электрон покидает эмиттер, он индуцирует в твёрдом
теле заряд, являющийся его зеркальным изображением. При наложении внешнего однородного
электрич. поля напряжённостью E потенц. барьер приобретает вид кривой
2; в результате работа выхода уменьшается на
где е - заряд электрона; последнее выражение
для металлов применимо лишь для E<105 В/см (когда начинается
автоэлектронная эмиссия ).Если источником электронного тока служит накалённый
катод, то за счёт Ш. э. сила тока возрастает от I0 до
, где T-темп-pa катода; в случае фотокатода происходят сдвиг порога фотоэффекта
в сторону больших длин волн и соответствующий рост фотоэлектронного тока при
освещении катода.
При покрытии поверхности металла тонкой адсорбирующей
плёнкой неоднородной структуры в характере Ш. э. возникают аномалии, связанные
со сложным взаимодействием локальных электрич. полей между чистыми и покрытыми
плёнкой участками поверхности. Вследствие этого зависимость (*) теряет силу,
особенно в области полей E104
В/см (аномальный Ш. э.).
При создании электрич. поля у поверхности полупроводникового
источника электронов Ш. э. приобретает значительно более сложный характер, чем
в случае металла. Наряду с понижением внеш. потенц. барьера здесь наблюдается
как частичное проникновение электрич. поля внутрь полупроводника на глубину,
зависящую от концентрации свободных зарядов, так и его частичное экранирование
слоем поверхностных зарядов. В результате электрич. поле, как правило, оказывает
большее влияние на работу выхода электрона, а следовательно, и на силу электронного
тока у полупроводников, чем у металлов.
На основе Ш. э. можно исследовать нек-рые электронные
свойства поверхностей твёрдых тел.