Стартовая Предметный указатель Новости науки и техники
Новости науки и техники
АТТОСЕКУНДНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ ИМПУЛЬСЫ
В атоме водорода электрон делает один виток по орбите всего за 150 аттосекунд (150 .10–18 с) – это время относится к секунде так же, как секунда к 200 млн. лет. Стремясь к изучению столь кратковременных явлений, физики научились получать лазерные импульсы длительностью в несколько сотен аттосекунд. Далее...

эластосопротивление

ЭЛАСТОСОПРОТИВЛЕНИЕ - изменение уд. электросопротивления на единицу деформации (см. Тензорезистив-ный эффект):


469-512_08-36.jpg

Здесь r-сопротивление в отсутствие деформации,469-512_08-37.jpg- изменение r при деформации,469-512_08-38.jpg-безразмерный тензор Э. 4-го ранга,469-512_08-39.jpg-тензор деформации 2-го ранга. Относит. изменение уд. сопротивления деформированного кристалла в линейном по деформации приближении можно записать в виде469-512_08-40.jpg где 469-512_08-41.jpg-тензор пьезосопротивления 4-го ранга, Xi - тензор механич. напряжения 2-го ранга, связанный с тензором деформации469-512_08-42.jpg(через тензор модулей упругости Сik)соотношением469-512_08-43.jpg

Компоненты тензора Э.
469-512_08-44.jpg

Так же, как и компоненты Пik, компоненты469-512_08-45.jpgобразуют шестимерную матрицу. На основании (3) для кристаллов кубич. симметрии связь между коэф. пьезосопротивления и Э. имеет вид

469-512_08-46.jpg

Соотношения (5) позволяют определить коэф. Э., измеряя коэф. пьезосопротивления. Вместо упругих постоянных 469-512_08-47.jpg можно пользоваться т. н. константами жёсткости 469-512_08-48.jpg (приводимыми обычно в таблицах):

469-512_08-49.jpg

Если осн. минимумы энергии зоны проводимости кристалла (см. Зонная теория)расположены на осях [100] (что имеет место в h-Si), то

469-512_08-50.jpg Если осн. минимумы находятся на осях [111] (n-Ge), то 469-512_08-51.jpg

Лит.: Herring C., Transport properties of many-valley semiconductor, "Bell System Techn. Journal", 1955, v. 34, p. 237; Вир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, M., 1972; Баранский П. И., Клочков В. П., Поты-кевич И. В., Полупроводниковая электроника, К., 1975.

П. И. Баранский.

  Предметный указатель