Знамениті фізики УкраїниФізика - одна з найбільш важливих наук. В її області працює багато вчених з усього світу. Є серед них і геніальні фізики України. Сьогодні в Україні є багато талановитих вчених. Не бракувало їх і поколіннями раніше. Всі вони починали свою роботу з підготовки, тобто отримання якісної освіти. Вже пару століть в нашій країні існує багато спеціалізованих державних і приватних закладів. При необхідності сьогодні можна отримувати додаткові уроки індивідуально і віддалено. Далее... |
эластосопротивление
ЭЛАСТОСОПРОТИВЛЕНИЕ - изменение уд. электросопротивления
на единицу деформации (см. Тензорезистив-ный эффект):
Здесь r-сопротивление в отсутствие деформации,-
изменение r при деформации,-безразмерный
тензор Э. 4-го ранга,-тензор
деформации 2-го ранга. Относит. изменение уд. сопротивления деформированного
кристалла в линейном по деформации приближении можно записать в виде
где -тензор
пьезосопротивления 4-го ранга, Xi -
тензор механич. напряжения 2-го ранга, связанный с тензором деформации(через
тензор модулей упругости Сik)соотношением
Компоненты тензора Э.
Так же, как и компоненты Пik, компонентыобразуют
шестимерную матрицу. На основании (3) для кристаллов кубич. симметрии связь
между коэф. пьезосопротивления и Э. имеет вид
Соотношения (5) позволяют определить коэф. Э.,
измеряя коэф. пьезосопротивления. Вместо упругих постоянных
можно пользоваться т. н. константами жёсткости
(приводимыми обычно в таблицах):
Если осн. минимумы энергии зоны проводимости
кристалла (см. Зонная теория)расположены на осях [100] (что имеет место
в h-Si), то
Если осн. минимумы находятся на осях [111] (n-Ge),
то
Лит.: Herring C., Transport properties
of many-valley semiconductor, "Bell System Techn. Journal", 1955,
v. 34, p. 237; Вир Г. Л., Пикус Г. E., Симметрия и деформационные эффекты в
полупроводниках, M., 1972; Баранский П. И., Клочков В. П., Поты-кевич И. В.,
Полупроводниковая электроника, К., 1975.
П. И. Баранский.