эттингсхаузена эффект

ЭТТИНГСХАУЗЕНА ЭФФЕКТ -возникновение поперечного градиента темп-ры в проводнике с током, помещённом в магн. поле Н. Открыт в 1886 А. Эттингсхаузе-ном (A. Ettingshausen). В изотропном образце -

где j-плотность электрич. тока; А_Э - коэф. Эттингсха-узена.

Э. э. обусловлен разделением траекторий носителей заряда (переносящих ток j) Лоренца силой. Сила, действующая на носители заряда в магн. поле, в среднем компенсируется электрич. полем Холла (см. Холла эффект ).Полная компенсация имеет место лишь для носителей заряда, движущихся с нек-рой ср. скоростью; траектории более быстрых (горячих) носителей заряда отклоняются к одной стороне образца, более медленных (холодных) - к противоположной, что и приводит к возникновению градиента темп-ры поперёк образца. Знак Э. э. не зависит от знака носителей.

В вырожденных полупроводниках ток переносят носители с энергиями, лежащими в слое шириной ~kT вблизи энергии Ферми . Коэф. А_Э при этом порядка kT/, т. е. мал. При смешанной проводимости возникает биполярный вклад в Э. э., связанный с совместным движением электронов и дырок, и А_Э сильно возрастает (~/kT, где - ширина запрещённой зоны). В случае низких темп-р коэф. А_Э содержит вклад, связанный с эффектом увлечения электронов фононами, а в квантующих магн. полях он должен испытывать квантовые осцилляции.

Э. э. применяется в термоэлементах, основанных на эффекте Пельтье и используемых для термоэлектрич. охлаждения: приложение сильного магн. поля к термоэлементу из полупроводника с собств. проводимостью (напр., сплава Bi-Sb) обеспечивает высокую эффективность охлаждения за счёт большой величины А_Э.

Лит. см. при статьях Термогальеаномагнитные явления, Нернста - Эттингсхаузена эффект. А. Э. Мейерович.

   <<      Предметный указатель      >>